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XP5555

更新时间： 2024-01-21 23:25:52

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	39K
描述
Silicon NPN epitaxial planer transistor

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XP5555 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-88
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.82	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

XP5555 数据手册

Composite Transistors

XP5555

Silicon NPN epitaxial planer transistor

Unit: mm

For high speed switching

2.1±0.1

0.425

1.25±0.1

0.425

Features

■

●

Two elements incorporated into one package.

Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.

●

Basic Part Number of Element

2SC4782 × 2 elements

■

●

0.2±0.1

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

1 : Emitter (Tr1)

2 : Base (Tr1)

3 : Base (Tr2)

4 : Collector (Tr2)

5 : Emitter (Tr2)

6 : Collector (Tr1)

EIAJ : SC–88

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CES

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Peak collector current

Total power dissipation

S–Mini Type Package (6–pin)

Rating

element

Marking Symbol: EO

Internal Connection

200

˚C

I_CP

300

P_T

150

Tr1

Overall Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

T_stg

–55 to +150

˚C

Tr2

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

I_EBO

h_FE

Conditions

min

typ

max

0.1

200

0.25

1.0

500

Unit

µA

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

V_CB= 10V, I_E= 0

V_EB= 4V, I_C= 0

µA

Forward current transfer ratio

V_CE= 1V, I_C= 10mA

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

I_C= 10mA, I_B= 1mA

0.17

0.76

200

I_C= 10mA, I_B= 1mA

Transition frequency

Collector output capacitance

Turn-on time

f_T

V_CB= 10V, I_E= –10mA, f = 200MHz

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MHz

MHz

C_ob

t_on

t_off

t_stg

Turn-off time

Storage time

^*1Switching time measuring circuit

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