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XP6116

更新时间： 2024-11-27 22:11:19

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管
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2页	35K
描述
Silicon PNP epitaxial planer transistor

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XP6116 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-88	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.84	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	160
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

XP6116 数据手册

Composite Transistors

XP6116

Silicon PNP epitaxial planer transistor

Unit: mm

For switching/digital circuits

2.1±0.1

0.425

1.25±0.1

0.425

Features

■

●

Two elements incorporated into one package.

(Transistors with built-in resistor)

●

Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.

Basic Part Number of Element

UN1116 × 2 elements

■

●

0.2±0.1

1 : Emitter (Tr1)

2 : Emitter (Tr2)

3 : Base (Tr2)

4 : Collector (Tr2)

5 : Base (Tr1)

6 : Collector (Tr1)

EIAJ : SC–88

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_C

Ratings

–50

Unit

S–Mini Type Package (6–pin)

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Collector current

Total power dissipation

Rating

element

–50

Marking Symbol: 6Y

Internal Connection

–100

˚C

P_T

150

Overall Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

Tr1

T_stg

–55 to +150

˚C

Tr2

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

Conditions

min

–50

typ

max

Unit

Collector to base voltage

I_C= –10µA, I_E= 0

Collector to emitter voltage

V_CEO

I_CBO

I_CEO

I_EBO

h_FE

I_C= –2mA, I_B= 0

V_CB= –50V, I_E= 0

V_CE= –50V, I_B= 0

V_EB= –6V, I_C= 0

– 0.1

– 0.5

– 0.01

460

µA

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

Forward current transfer ratio

Forward current transfer h_FEratio

V_CE= –10V, I_C= –5mA

160

0.5

h_FE(small/large)^*1V_CE= –10V, I_C= –5mA

0.99

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

I_C= –10mA, I_B= – 0.3mA

– 0.25

– 0.2

Output voltage high level

Output voltage low level

Transition frequency

V_OH

V_OL

f_T

V_CC= –5V, V_B= – 0.5V, R_L= 1kΩ

V_CC= –5V, V_B= –2.5V, R_L= 1kΩ

V_CB= –10V, I_E= 1mA, f = 200MHz

–4.9

MHz

kΩ

Input resistance

R₁

–30%

4.7

+30%

^*1Ratio between 2 elements

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