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XP6501 PDF预览

XP6501

更新时间： 2024-01-01 05:25:10
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 36K
描述
Silicon NPN epitaxial planer transistor

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XP6501 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-88包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.82最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：160JESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

XP6501 数据手册

 浏览型号XP6501的Datasheet PDF文件第2页 
Composite Transistors  
XP6501  
Silicon NPN epitaxial planer transistor  
Unit: mm  
For general amplification  
2.1±0.1  
0.425  
1.25±0.1  
0.425  
1
6
Features  
■
2
3
5
4
●
Two elements incorporated into one package.  
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.  
●
Basic Part Number of Element  
2SD601A × 2 elements  
■
●
0.2±0.1  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
1 : Emitter (Tr1)  
2 : Emitter (Tr2)  
3 : Base (Tr2)  
4 : Collector (Tr2)  
5 : Base (Tr1)  
6 : Collector (Tr1)  
EIAJ : SC–88  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Ratings  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current  
Peak collector current  
Total power dissipation  
60  
S–Mini Type Package (6–pin)  
50  
7
V
Rating  
of  
element  
V
Marking Symbol: 5N  
Internal Connection  
100  
mA  
mA  
mW  
˚C  
ICP  
200  
PT  
150  
Tr1  
1
6
5
4
Overall Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
2
Tstg  
–55 to +150  
˚C  
3
Tr2  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
VCBO  
Conditions  
min  
60  
50  
7
typ  
max  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
IC = 10µA, IE = 0  
VCEO  
VEBO  
ICBO  
ICEO  
hFE  
IC = 2mA, IB = 0  
IE = 10µA, IC = 0  
VCB = 20V, IE = 0  
VCE = 10V, IB = 0  
VCE = 10V, IC = 2mA  
V
V
0.1  
100  
460  
µA  
µA  
Collector cutoff current  
Forward current transfer ratio  
160  
0.5  
Forward current transfer hFE ratio  
hFE (small/large)*1 VCE = 10V, IC = 2mA  
0.99  
0.1  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = 100mA, IB = 10mA  
0.3  
V
MHz  
pF  
Transition frequency  
fT  
VCB = 10V, IE = –2mA, f = 200MHz  
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz  
150  
3.5  
Collector output capacitance  
*1 Ratio between 2 elements  
Cob  
1
12

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