XP8081TX

更新时间： 2024-11-28 13:16:11

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松下 - PANASONIC		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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4页	50K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET

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XP8081TX 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.84
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN BIPOLAR TRANSISTOR AND RESISTOR	最大漏极电流 (ID)：	0.02 A
FET 技术：	JUNCTION	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

XP8081TX 数据手册

Composite Transistors

XP8081

Silicon N-channel junction FET (Tr1)

Silicon NPN epitaxial planer transistor (Tr2)

Unit: mm

For analog switching (Tr1)/switching (Tr2)

2.1±0.1

0.425

1.25±0.1

0.425

Features

■

●

Two elements incorporated into one package.

Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.

●

Basic Part Number of Element

2SK1103+UN1213 (transistors with built-in resistor)

■

●

0.2±0.1

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

1 : Drain (Tr1)

2 : Source (Tr1)

3 : Collector (Tr2) 6 : Gate (Tr1)

EIAJ : SC–88

4 : Emitter (Tr2)

5 : Base (Tr2)

Parameter

Symbol

V_GDS

I_D

Ratings

Unit

Gate to drain voltage

Drain current

–50

S–Mini Type Package (6–pin)

Tr1

Gate current

I_G

Marking Symbol: 9Z

Internal Connection

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Collector current

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

V_CBO

V_CEO

I_C

Tr2

100

˚C

Tr1

P_T

150

Overall

T_j

150

T_stg

–55 to +150

˚C

Tr2

12 3 4

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