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XP6111 PDF预览

XP6111

更新时间： 2024-11-27 22:11:19
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 36K
描述
Silicon PNP epitaxial planer transistor

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XP6111 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-88包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.84其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：35
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：2
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz
Base Number Matches：1

XP6111 数据手册

 浏览型号XP6111的Datasheet PDF文件第2页 
Composite Transistors  
XP6111  
Silicon PNP epitaxial planer transistor  
Unit: mm  
For switching/digital circuits  
2.1±0.1  
0.425  
1.25±0.1  
0.425  
1
6
Features  
■
2
3
5
4
●
Two elements incorporated into one package.  
(Transistors with built-in resistor)  
●
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.  
Basic Part Number of Element  
UN1111 × 2 elements  
■
●
0.2±0.1  
1 : Emitter (Tr1)  
2 : Emitter (Tr2)  
3 : Base (Tr2)  
4 : Collector (Tr2)  
5 : Base (Tr1)  
6 : Collector (Tr1)  
EIAJ : SC–88  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
IC  
Ratings  
–50  
Unit  
V
S–Mini Type Package (6–pin)  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Collector current  
Total power dissipation  
Rating  
of  
–50  
V
Marking Symbol: 6Z  
Internal Connection  
element  
–100  
mA  
mW  
˚C  
PT  
150  
Overall Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
Tr1  
1
6
5
4
Tstg  
–55 to +150  
˚C  
2
3
Tr2  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
VCBO  
Conditions  
min  
–50  
–50  
typ  
max  
Unit  
V
Collector to base voltage  
IC = –10µA, IE = 0  
Collector to emitter voltage  
VCEO  
ICBO  
ICEO  
IEBO  
hFE  
IC = –2mA, IB = 0  
VCB = –50V, IE = 0  
VCE = –50V, IB = 0  
VEB = –6V, IC = 0  
V
– 0.1  
– 0.5  
– 0.5  
µA  
µA  
mA  
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
Forward current transfer ratio  
Forward current transfer hFE ratio  
VCE = –10V, IC = –5mA  
35  
hFE (small/large)*1 VCE = –10V, IC = –5mA  
0.5  
0.99  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = –10mA, IB = – 0.3mA  
– 0.25  
– 0.2  
V
V
Output voltage high level  
Output voltage low level  
Transition frequency  
Input resistance  
VOH  
VOL  
fT  
VCC = –5V, VB = – 0.5V, RL = 1kΩ  
VCC = –5V, VB = –2.5V, RL = 1kΩ  
VCB = –10V, IE = 1mA, f = 200MHz  
–4.9  
V
80  
10  
MHz  
kΩ  
R1  
–30%  
0.8  
+30%  
1.2  
Resistance ratio  
R1/R2  
1.0  
*1 Ratio between 2 elements  
1
12

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