XP5553TX

更新时间： 2024-02-04 20:13:07

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松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
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2页	37K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 100V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon

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XP5553TX 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.02 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	400
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

XP5553TX 数据手册

Composite Transistors

XP5553

Silicon NPN epitaxial planer transistor

Unit: mm

For amplification of the low frequency

2.1±0.1

0.425

1.25±0.1

0.425

Features

■

●

Two elements incorporated into one package.

Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.

●

Basic Part Number of Element

2SD1149 × 2 elements

■

●

0.2±0.1

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

1 : Emitter (Tr1)

2 : Base (Tr1)

3 : Base (Tr2)

4 : Collector (Tr2)

5 : Emitter (Tr2)

6 : Collector (Tr1)

EIAJ : SC–88

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Peak collector current

Total power dissipation

100

S–Mini Type Package (6–pin)

100

Rating

element

Marking Symbol: 4U

Internal Connection

˚C

I_CP

P_T

150

Tr1

Overall Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

T_stg

–55 to +150

˚C

Tr2

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

Conditions

min

100

typ

max

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

I_C= 10µA, I_E= 0

V_CEO

V_EBO

I_CBO

I_CEO

h_FE

I_C= 1mA, I_B= 0

I_E= 10µA, I_C= 0

V_CB= 60V, I_E= 0

0.1

1.0

µA

Collector cutoff current

V_CE= 60V, I_B= 0

Forward current transfer ratio

V_CE= 10V, I_C= 2mA

400

2000

0.2

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

I_C= 10mA, I_B= 1mA

V_CE= 10V, I_C= 1mA, G_V= 80dB

R_g= 100kΩ, Function = FLAT

V_CB= 10V, I_E= –2mA, f = 200MHz

0.05

Noise voltage

f_T

MHz

Transition frequency

150

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