XP4654TX

更新时间： 2024-11-02 12:59:43

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	62K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon

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XP4654TX 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN AND PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	450 MHz
Base Number Matches：	1

XP4654TX 数据手册

Composite Transistors

XP4654

Silicon NPN epitaxial planer transistor (Tr1)

Silicon PNP epitaxial planer transistor (Tr2)

Unit: mm

For high speed switching

2.1±0.1

0.425

1.25±0.1

0.425

Features

■

●

Two elements incorporated into one package.

Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.

●

Basic Part Number of Element

2SC3757+2SA1738

■

●

0.2±0.1

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

1 : Emitter (Tr1)

2 : Base (Tr1)

3 : Collector (Tr2) 6 : Collector (Tr1)

EIAJ : SC–88

4 : Emitter (Tr2)

5 : Base (Tr2)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CES

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Peak collector current

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Peak collector current

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

S–Mini Type Package (6–pin)

Tr1

Marking Symbol: ED

Internal Connection

100

I_CP

300

V_CBO

V_CES

V_EBO

I_C

–15

Tr1

–15

Tr2

–4

–50

˚C

Tr2

I_CP

–100

150

P_T

T_j

150

Overall

T_stg

–55 to +150

˚C

12 3 4

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