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XP4506 PDF预览

XP4506

更新时间： 2024-09-29 22:11:19
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 36K
描述
Silicon NPN epitaxial planer transistor

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XP4506 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-88包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.84Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.3 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：500
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：2
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz
Base Number Matches：1

XP4506 数据手册

 浏览型号XP4506的Datasheet PDF文件第2页 
Composite Transistors  
XP4506  
Silicon NPN epitaxial planer transistor  
Unit: mm  
For amplification of low frequency output  
2.1±0.1  
0.425  
1.25±0.1  
0.425  
1
6
Features  
High emitter to base voltage VEBO  
High forward current transfer ratio hFE  
Low ON resistor Ron.  
■
2
3
5
4
●
.
●
●
.
Basic Part Number of Element  
2SD1915F × 2 elements  
■
●
0.2±0.1  
1 : Emitter (Tr1)  
2 : Base (Tr1)  
3 : Collector (Tr2) 6 : Collector (Tr1)  
EIAJ : SC–88  
4 : Emitter (Tr2)  
5 : Base (Tr2)  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Ratings  
Unit  
V
S–Mini Type Package (6–pin)  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current  
Peak collector current  
Total power dissipation  
50  
20  
V
Marking Symbol: EN  
Internal Connection  
Rating  
of  
element  
25  
V
300  
mA  
mA  
mW  
˚C  
ICP  
500  
Tr1  
1
2
3
6
5
4
PT  
150  
Overall Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
Tstg  
–55 to +150  
˚C  
Tr2  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
VCEO  
Conditions  
min  
typ  
max  
Unit  
V
Collector to emitter voltage  
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
IC = 1mA, IB = 0  
20  
ICBO  
IEBO  
hFE  
VCB = 50V, IE = 0  
0.1  
0.1  
µA  
µA  
VEB = 25V, IC = 0  
Forward current transfer ratio  
Base to emitter voltage  
VCE = 2V, IC = 4mA  
500  
2500  
VBE  
VCE = 2V, IC = 4mA  
0.6  
80  
1
V
V
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = 30mA, IB = 3mA  
VCB = 6V, IE = –4mA, f = 200MHz  
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz  
0.1  
7
Transition frequency  
Collector output capacitance  
ON Resistance  
fT  
MHz  
pF  
Cob  
Ron  
*1  
Ω
*1  
R
on  
measuring circuit  
1kΩ  
IB=1mA  
f=1kHz  
V=0.3V  
VB  
VA  
VV  
VB  
Ron=  
✕1000(Ω)  
VA–VB  
1
12

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