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XP1B301

更新时间： 2024-11-07 22:27:39

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管
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5页	58K
描述
Silicon PNP(NPN) epitaxial planer transistor

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XP1B301 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-88A
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5	针数：	5
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.8
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	CASCADED, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	160
JESD-30 代码：	R-PDSO-G5	元件数量：	2
端子数量：	5	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN AND PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

XP1B301 数据手册

Composite Transistors

XP1B301

Silicon PNP epitaxial planer transistor (Tr1)

Silicon NPN epitaxial planer transistor (Tr2)

Unit: mm

For general amplification

2.1±0.1

1.25±0.1

0.425

Features

■

●

Two elements incorporated into one package.

(Tr1 emitter is connected to Tr2 base.)

●

Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.

Basic Part Number of Element

2SB709A+2SD601A

■

●

0.2±0.1

1 : Base (Tr1)

2 : Base (Tr2)

Emitter (Tr1)

3 : Emitter (Tr2)

4 : Collector (Tr2)

5 : Collector (Tr1)

EIAJ : SC–88A

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

–60

Unit

S–Mini Type Package (5–pin)

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Peak collector current

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Peak collector current

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

–50

Marking Symbol: 4Q

Internal Connection

Tr1

–7

–100

–200

I_CP

Tr1

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Tr2

100

˚C

Tr2

I_CP

200

P_T

150

T_j

150

Overall

T_stg

–55 to +150

˚C

12 3 4 5

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