XP1C301

更新时间： 2024-11-07 22:09:31

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	58K
描述
Silicon PNP(NPN) epitaxial planer transistor

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XP1C301 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数：	5	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.83	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	COMPLEX
最小直流电流增益 (hFE)：	160	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
元件数量：	2	端子数量：	5
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN AND PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz

XP1C301 数据手册

Composite Transistors

XP1C301

Silicon PNP epitaxial planer transistor (Tr1)

Silicon NPN epitaxial planer transistor (Tr2)

Unit: mm

For general amplification

2.1±0.1

1.25±0.1

0.425

Features

■

●

Two elements incorporated into one package.

(Tr1 base is connected to Tr2 emitter.)

●

Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.

Basic Part Number of Element

2SB709A+2SD601A

■

●

0.2±0.1

1 : Emitter (Tr1)

2 : Base (Tr1)

Emitter (Tr2)

3 : Base (Tr2)

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

4 : Collector (Tr2)

5 : Collector (Tr1)

EIAJ : SC–88A

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

–60

Unit

S–Mini Type Package (5–pin)

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Peak collector current

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Peak collector current

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

–50

Marking Symbol: 4R

Internal Connection

Tr1

–7

–100

–200

I_CP

Tr1

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Tr2

100

˚C

Tr2

I_CP

200

P_T

150

T_j

150

Overall

T_stg

–55 to +150

˚C

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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