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XP04311(XP4311)

更新时间: 2024-09-18 23:33:51
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5页 215K
描述
複合デバイス - 複合トランジスタ

XP04311(XP4311) 数据手册

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複合トランジスタ  
XP04311 (XP4311)  
シリコNPNエピタキシャルプレーナ形(Tr1)  
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形(Tr2)  
Unit : mm  
+0.05  
スイッチング/デジタル回路用  
0.12  
–0.02  
0.2 0.05  
5
6
4
特ꢀ長  
1パッケージ2素子内蔵(抵抗内蔵トランジスタ)  
実装積とアセンブリコストの半減が可能  
1
2
3
基  
種  
(0.65) (0.65)  
1.3 0.1  
2.0 0.1  
UNR2211 (UN2211) + UNR2111 (UN2111)  
10˚  
絶対最大定格 Ta = 25°C  
項目  
記号  
定格  
単位  
Tr1  
コレクース間電圧  
VCBO  
50  
V
(E 開放時)  
1 : Emitter (Tr1)  
2 : Base (Tr1)  
3 : Collector (Tr2)  
EIAJ : SC-88  
4 : Emitter (Tr2)  
5 : Base (Tr2)  
6 : Collector (Tr1)  
SMini6-G1 Package  
コレクミッタ間  
電圧(B 開放時)  
VCEO  
50  
V
コレクタ電流  
IC  
100  
mA  
V
Tr2  
コレクース間電圧  
VCBO  
50  
形名表示記号 : 7X  
(E 開放時)  
コレクミッタ間  
電圧(B 開放時)  
VCEO  
50  
V
内部接続図  
6
5
2
4
コレクタ電流  
全許容損失  
合温度  
IC  
100  
mA  
mW  
°C  
総合  
PT  
150  
Tr1  
Tj  
150  
Tr2  
保存温度  
Tstg  
55 ∼ +150  
°C  
1
3
) 形名の( )内は来品  
番です  
発行年月 : 20036月  
SJJ00176BJD  
1

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