Datasheet > XP04211(XP4211)

XP04211(XP4211)

更新时间： 2024-09-18 23:33:47

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		/
页数	文件大小	规格书
3页	488K
描述
複合デバイス－複合トランジスタ

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

XP04211(XP4211) 数据手册

複合トランジスタ

XP04211 (XP4211)

シリコンNPN エピタキシャルプレーナ形

Unit: mm

スイッチング用/デジタル回路用

+0.05

0.12

–0.02

0.2 ^0.05

特ꢀ長

1パッケージに2素子内蔵。(抵抗内蔵トランジスタ)

実装面積とアセンブリコストの半減が可能。

(0.65) (0.65)

1.3 0.1

2.0 0.1

10°

使用素子基本形名

UNR1211(UN1211)× 2素子

絶対最大定格 (Ta=25˚C)

1 : Emitter (Tr1)

2 : Base (Tr1)

3 : Collector (Tr2)

4 : Emitter (Tr2)

5 : Base (Tr2)

6 : Collector (Tr1)

SMini6-G1 Package

項目

記号

V_CBO

V_CEO

I_C

定格

単位

コレクタ･ベース電圧

コレクタ･エミッタ電圧

コレクタ電流

全損失

素子の

定格

100

˚C

形名表示記号：9V

P_T

150

内部接続図

総合

接合部温度

保存温度

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

˚C

Tr1

Tr2

電気的特性 (Ta=25˚C)

項目

記号

V_CBO

条件

最小

標準

最大

単位

コレクタ･ベース電圧

I_C= 10µA, I_E= 0

コレクタ･エミッタ電圧

V_CEO

I_CBO

I_CEO

I_EBO

h_FE

I_C= 2mA, I_B= 0

V_CB= 50V, I_E= 0

0.1

0.5

µA

コレクタしゃ断電流

V_CE= 50V, I_B= 0

エミッタしゃ断電流

直流電流増幅率

V_EB= 6V, I_C= 0

V_CE= 10V, I_C= 5mA

I_C= 10mA, I_B= 0.3mA

V_CC= 5V, V_B= 0.5V, R_L= 1kΩ

V_CC= 5V, V_B= 2.5V, R_L= 1kΩ

V_CB= 10V, I_E= –2mA, f = 200MHz

コレクタ･エミッタ飽和電圧

出力電圧ハイレベル

出力電圧ローレベル

トランジション周波数

入力抵抗

V_CE(sat)

V_OH

V_OL

f_T

0.09

0.25

0.2

4.9

150

MHz

kΩ

R₁

–30%

0.8

+30%

1.2

抵抗比率

R₁/R₂

1.0

注) ( )内は,従来品番です

12 3

中文翻译

下载PDF

与XP04211(XP4211)相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
XP04212	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planar type
XP04212(XP4212)	ETC	获取价格	Composite Device - Composite Transistors
XP04212\|XP4212	ETC	获取价格	Composite Device - Composite Transistors
XP04213	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planar type
XP04213(XP4213)	ETC	获取价格	複合デバイス－複合トランジスタ
XP04213\|XP4213	ETC	获取价格	Composite Device - Composite Transistors
XP04214	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-363
XP04214(XP4214)	ETC	获取价格	複合デバイス－複合トランジスタ
XP04214\|XP4214	ETC	获取价格	Composite Device - Composite Transistors
XP04215	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planar type