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X28HC256SI-15T7

更新时间： 2024-01-21 14:30:05

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瑞萨 - RENESAS		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
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EEPROM 5V

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X28HC256SI-15T7 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SOP,
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.63	最长访问时间：	150 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	长度：	17.9 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	5 V	座面最大高度：	2.65 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.5 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	Base Number Matches：	1

X28HC256SI-15T7 数据手册

DATASHEET

256k, 32k x 8-Bit, 5V, Byte Alterable EEPROM

X28HC256

Features

The X28HC256 is a second generation high performance

CMOS 32k x 8 EEPROM. It is fabricated with Intersil’s

proprietary, textured poly floating gate technology, providing a

highly reliable 5V only nonvolatile memory.

• Access time: 90ns

• Simple byte and page write

- Single 5V supply

- No external high voltages or V_P-Pcontrol circuits

- Self timed

The X28HC256 supports a 128-byte page write operation,

effectively providing a 24µs/byte write cycle, and enabling the

entire memory to be typically rewritten in less than 0.8s. The

X28HC256 also features DATA polling and Toggle bit polling,

two methods of providing early end of write detection. The

X28HC256 also supports the JEDEC standard software data

protection feature for protecting against inadvertent writes

during power-up and power-down.

- No erase before write

- No complex programming algorithms

- No overerase problem

• Low power CMOS

- Active: 60mA

- Standby: 500µA

Endurance for the X28HC256 is specified as a minimum

100,000 write cycles per byte and an inherent data retention

of 100 years.

• Software data protection

- Protects data against system level inadvertent writes

• High speed page write capability

• Highly reliable Direct Write^™cell

- Endurance: 100,000 cycles

- Data retention: 100 years

• Early end of write detection

- DATA polling

- Toggle bit polling

• RoHS compliant

256k BIT

EEPROM

ARRAY

X BUFFERS

LATCHES AND

DECODER

TO A

ADDRESS

INPUTS

I/O BUFFERS

AND LATCHES

Y BUFFERS

LATCHES AND

DECODER

I/O TO I/O

DATA INPUTS/OUTPUTS

CONTROL

LOGIC AND

TIMING

FIGURE 1. BLOCK DIAGRAM

March 31, 2015

FN8108.4

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.

Intersil (and design) is a trademark owned by Intersil Corporation or one of its subsidiaries.

All other trademarks mentioned are the property of their respective owners.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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X28HC256SI-20T1	INTERSIL	获取价格	5V, Byte Alterable EEPROM
X28HC256SI-70	INTERSIL	获取价格	5 Volt, Byte Alterable EEPROM
X28HC256SI-70	XICOR	获取价格	5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28HC256SI-90	XICOR	获取价格	5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28HC256SI-90	ROCHESTER	获取价格	LOW POWER CMOS EEPROM with hi-speed page write capability 256K EEPROM
X28HC256SI-90	INTERSIL	获取价格	5 Volt, Byte Alterable EEPROM
X28HC256SI-90T1	XICOR	获取价格	EEPROM, 32KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28
X28HC256SI-90T1	RENESAS	获取价格	32KX8 EEPROM 5V, 90ns, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28
X28HC256SIZ-12	INTERSIL	获取价格	5V, Byte Alterable EEPROM

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