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X28HC256SM-70

更新时间： 2024-11-20 12:17:15
品牌 Logo 应用领域
XICOR 可编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
24页 112K
描述
5 Volt, Byte Alterable E2PROM

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X28HC256SM-70 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：SOP, SOP28,.45Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.89最长访问时间：70 ns
其他特性：100000 ENDURANCE WRITE CYCLES; 100 YEARS DATA RETENTION命令用户界面：NO
数据轮询：YES数据保留时间-最小值：100
耐久性：1000000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G28
JESD-609代码：e0长度：17.9 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：32KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP28,.45封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE页面大小：128 words
并行/串行：PARALLEL电源：5 V
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.65 mm最大待机电流：0.0005 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
切换位：YES宽度：7.5 mm
最长写入周期时间 (tWC)：5 ms

X28HC256SM-70 数据手册

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256K  
X28HC256  
5 Volt, Byte Alterable E2PROM  
DESCRIPTION  
32K x 8 Bit  
FEATURES  
• Access Time: 70ns  
• Simple Byte and Page Write  
—Single 5V Supply  
The X28HC256 is a second generation high perfor-  
mance CMOS 32K x 8 E PROM. It is fabricated with  
Xicor’s proprietary, textured poly floating gate tech-  
nology, providing a highly reliable 5 Volt only nonvolatile  
memory.  
2
—No External High Voltages or V Control  
PP  
Circuits  
—Self-Timed  
The X28HC256 supports a 128-byte page write opera-  
tion, effectively providing a 24µs/byte write cycle and  
enabling the entire memory to be typically rewritten in  
less than 0.8 seconds. The X28HC256 also features  
DATA Polling and Toggle Bit Polling, two methods of  
providing early end of write detection. The X28HC256  
also supports the JEDEC standard Software Data Pro-  
tection feature for protecting against inadvertent writes  
during power-up and power-down.  
—No Erase Before Write  
—No Complex Programming Algorithms  
—No Overerase Problem  
• Low Power CMOS:  
—Active: 60mA  
—Standby: 500µA  
• Software Data Protection  
—Protects Data Against System Level  
Inadvertent Writes  
• High Speed Page Write Capability  
EndurancefortheX28HC256isspecifiedasaminimum  
100,000 write cycles per byte and an inherent data  
retention of 100 years.  
™
• Highly Reliable Direct Write Cell  
—Endurance: 100,000 Write Cycles  
—Data Retention: 100 Years  
• Early End of Write Detection  
—DATA Polling  
—Toggle Bit Polling  
PIN CONFIGURATION  
PLASTIC DIP  
CERDIP  
FLAT PACK  
SOIC  
LCC  
PLCC  
A14  
1
28  
27  
26  
25  
24  
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19  
18  
17  
16  
15  
V
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A
A
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I/O  
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3
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31  
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28  
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18  
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A
A
A
A
A
A
A
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V
NC  
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0
0
1
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A
7
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5
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4
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3
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1
A
0
A
13  
A
A
A
A
A
A
A
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A
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A
8
A
9
9
11  
A
11  
NC  
OE  
A
NC  
OE  
X28HC256  
X28HC256  
V
SS  
NC  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
X28HC256  
A
10  
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CE  
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CE  
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7
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A
A
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I/O  
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0
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1
I/O  
2
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0
6
14 15 16 17 18 19 20  
CE  
11  
A
OE  
10  
V
I/O  
3
SS  
3859 ILL F22  
3859 FHD F03  
3859 FHD F02  
©Xicor, Inc. 1991, 1995 Patents Pending  
3859-2.8 8/5/97 T1/C0/D0 EW  
Characteristics subject to change without notice  
1
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与X28HC256SM-70相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
X28HC256SM-70T1 XICOR

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 		EEPROM, 32KX8, 70ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28
X28HC256SM-90 XICOR

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 		5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28HC256SM-90 INTERSIL

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 		5 Volt, Byte Alterable EEPROM
X28HC256SMB-12 XICOR

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X28HC256SMB-15 XICOR

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 		5 Volt, Byte Alterable EEPROM
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X28HC256SMB-70 XICOR

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 		5 Volt, Byte Alterable E2PROM
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 		5 Volt, Byte Alterable E2PROM

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