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X28HC256SI-90T1

更新时间： 2024-11-20 14:45:39

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XICOR		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
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23页	190K
描述
EEPROM, 32KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28

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X28HC256SI-90T1 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SOP,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.63
最长访问时间：	90 ns	其他特性：	100000 ENDURANCE WRITE CYCLES; 100 YEARS DATA RETENTION
数据保留时间-最小值：	100	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	长度：	17.9 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.65 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.5 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	Base Number Matches：	1

X28HC256SI-90T1 数据手册

256K

32K x 8 Bit

X28HC256

5 Volt, Byte Alterable EEPROM

FEATURES

DESCRIPTION

• Access time: 70ns

• Simple byte and page write

—Single 5V supply

—No external high voltages or V control circuits

—Self-timed

The X28HC256 is a second generation high perfor-

mance CMOS 32K x 8 EEPROM. It is fabricated with

Xicor’s proprietary, textured poly ﬂoating gate technol-

ogy, providing a highly reliable 5 Volt only nonvolatile

memory.

—No erase before write

—No complex programming algorithms

—No overerase problem

• Low power CMOS

—Active: 60mA

—Standby: 500µA

• Software data protection

—Protects data against system level inadvertent

writes

• High speed page write capability

• Highly reliable Direct Write^™cell

—Endurance: 1,000,000 cycles

—Data retention: 100 years

• Early end of write detection

—DATA polling

The X28HC256 supports a 128-byte page write opera-

tion, effectively providing a 24µs/byte write cycle, and

enabling the entire memory to be typically rewritten in

less than 0.8 seconds. The X28HC256 also features

DATA Polling and Toggle Bit Polling, two methods of

providing early end of write detection. The X28HC256

also supports the JEDEC standard Software Data Pro-

tection feature for protecting against inadvertent writes

during power-up and power-down.

Endurance for the X28HC256 is speciﬁed as a mini-

mum 1,000,000 write cycles per byte and an inherent

data retention of 100 years.

—Toggle bit polling

BLOCK DIAGRAM

256Kbit

EEPROM

Array

X Buffers

Latches and

Decoder

A –A

Address

Inputs

I/O Buffers

and Latches

Y Buffers

Latches and

DECODER

I/O –I/O

Data Inputs/Outputs

Control

Logic and

Timing

Characteristics subject to change without notice. 1 of 23

REV 1.1 2/1/01

www.xicor.com

12 3 4 5 6 7...23

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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X28HC256SIZ-15	RENESAS	获取价格	32KX8 EEPROM 5V, 150ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28
X28HC256SIZ-15	INTERSIL	获取价格	5V, Byte Alterable EEPROM
X28HC256SIZ-90	INTERSIL	获取价格	5V, Byte Alterable EEPROM
X28HC256SIZ-90	ROCHESTER	获取价格	LOW POWER CMOS EEPROM with hi-speed page write capability 256K EEPROM
X28HC256SM-12	XICOR	获取价格	5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28HC256SM-12	INTERSIL	获取价格	5 Volt, Byte Alterable EEPROM
X28HC256SM-12,	ROCHESTER	获取价格	LOW POWER CMOS EEPROM with hi-speed page write capability 256K EEPROM
X28HC256SM-12T1	XICOR	获取价格	EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28

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