是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOP, SOP28,.4 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.63 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 150 ns |
命令用户界面: | NO | 数据轮询: | YES |
耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 17.9 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 32KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP28,.4 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 页面大小: | 128 words |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 2.65 mm |
最大待机电流: | 0.0005 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.06 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | YES | 宽度: | 7.5 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 5 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
X28HC256SIZ-90 | INTERSIL |
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5V, Byte Alterable EEPROM | |
X28HC256SIZ-90 | ROCHESTER |
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LOW POWER CMOS EEPROM with hi-speed page write capability 256K EEPROM | |
X28HC256SM-12 | XICOR |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28HC256SM-12 | INTERSIL |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable EEPROM | |
X28HC256SM-12, | ROCHESTER |
获取价格 |
LOW POWER CMOS EEPROM with hi-speed page write capability 256K EEPROM | |
X28HC256SM-12T1 | XICOR |
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EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28 | |
X28HC256SM-12T2 | RENESAS |
获取价格 |
32KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28 | |
X28HC256SM-15 | XICOR |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28HC256SM-15 | INTERSIL |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable EEPROM | |
X28HC256SM-15 | RENESAS |
获取价格 |
32KX8 EEPROM 5V, 150ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 |