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X28HC256SM-12,

更新时间： 2024-02-01 12:28:29

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罗彻斯特 - ROCHESTER		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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LOW POWER CMOS EEPROM with hi-speed page write capability 256K EEPROM

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X28HC256SM-12, 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP, SOP28,.4	针数：	28
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.46
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	120 ns
其他特性：	100000 ENDURANCE WRITE CYCLES; 100 YEARS DATA RETENTION	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	数据保留时间-最小值：	100
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
JESD-609代码：	e0	长度：	17.9 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	5
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	32KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP28,.4	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	页面大小：	128 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.65 mm
最大待机电流：	0.0005 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.06 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	YES	宽度：	7.5 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	Base Number Matches：	1

X28HC256SM-12, 数据手册

–

NTRODUCTION

X^P2^R8^OH^DC^UC2^T56DM-12

Rochester Electronics has re-introduced and continues to manufacture critically needed semiconductors with the full

authorization of the original manufacturer and an attention to quality that meets or exceeds the original component.

Original Manufacturer:

X28HC256DM-12

Original Part Number: X28HC256DM-12

Description: 256K EEPROM

Package: 28 pin DIP

Manufacturing Flow: MTO

Endurance: 1,000,000 cycles

Available in Pb-Free versions

Re-introduced by

Rochester Electronics on

October, 31, 2012

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X28HC256EI-12 X28HC256KMB-15

LOW POWER CMOS EEPROM

with hi-speed page write capability

The X28HC256 is

second generation high

a 24µs/byte write cycle, and enabling the entire

memory to be typically rewritten in less than 0.8

seconds. The X28HC256 also features DATA

Polling and Toggle Bit Polling, two methods

of providing early end of write detection.

performance CMOS 32k x 8 EEPROM. It is fabricated

with Intersil’s proprietary, textured poly ﬂoating

gate technology, providing a highly reliable 5V only

nonvolatile memory. The X28HC256 supports a 128-

byte page write operation, eﬀectively providing

Worldwide Corporate Headquarters

16 Malcolm Hoyt Drive . Newburyport, MA 01950

phone 978.462.9332 . email sales@rocelec.com . web www.rocelec.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
X28HC256SM-12T1	XICOR	获取价格	EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28
X28HC256SM-12T2	RENESAS	获取价格	32KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28
X28HC256SM-15	XICOR	获取价格	5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28HC256SM-15	INTERSIL	获取价格	5 Volt, Byte Alterable EEPROM
X28HC256SM-15	RENESAS	获取价格	32KX8 EEPROM 5V, 150ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28
X28HC256SM-70	INTERSIL	获取价格	5 Volt, Byte Alterable EEPROM
X28HC256SM-70	XICOR	获取价格	5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28HC256SM-70T1	XICOR	获取价格	EEPROM, 32KX8, 70ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28
X28HC256SM-90	XICOR	获取价格	5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28HC256SM-90	INTERSIL	获取价格	5 Volt, Byte Alterable EEPROM

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