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WTR04N320LS

更新时间： 2024-11-28 14:53:43

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先科 - SWST		晶体
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7页	559K
描述
功率金氧半电晶体

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WTR04N320LS 数据手册

WTR04N320LS-HAF

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Surface-mounted package

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

1.Gate 2.Drain 3.Source

TO-252 Plastic Package

Source

Application

• DC-DC converters and Off-line UPS

• Motor / Body Load Control

Key Parameters

Parameter

BV_DSS

Value

Unit

32 @ V_GS= 10 V

42 @ V_GS= 4.5 V

1.6

R_DS(ON)Max

mΩ

V_GS(th)typ

Q_gtyp

9.5 @ V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

± 20

T_c= 25℃

T_c= 100℃

Drain Current

I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Avalanche Current

I_DM

I_AS

9.1

Single Pulse Avalanche Energy ²⁾

E_AS

4.1

℃

Power Dissipation

P_tot

14.7

T_c= 25℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

8.4

Unit

℃/W

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 9.1 A, V_GS= 10 V.

R_θJA

³⁾Device Surface Mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate, in a still air.

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Dated: 28/02/2023 Rev: 02

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