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WTR04P150L

更新时间： 2024-09-17 14:55:35

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先科 - SWST		晶体
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8页	636K
描述
功率金氧半电晶体

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WTR04P150L 数据手册

WTR04P150L-HAF

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Low R_{DS( ON )}

• Low Input Capacitance

• Low Switching Charge

• Halogen and Antimony Free(-HAF),

RoHS compliant

Gate

Source

1.Gate 2.Drain 3.Source

TO-252 Plastic Package

Application

• Motor/Body Load Control

• Automotive Systems

• Load Switch

• DC-DC converters and Off-line UPS

Key Parameters

Parameter

-BV_DSS

Value

Unit

15 @ -V_GS= 10 V

20 @ -V_GS= 4.5 V

1.7

R_DS(ON)Max

mΩ

-V_GS(th)typ

Q_gtyp

55 @ -V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-V_DS

± 20

-V_GS

T_c= 25℃

T_c= 100℃

43.7

27.5

Continuous Drain Current

-I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Avalanche Current

150

37.8

-I_DM

-I_AS

Single Pulse Avalanche Energy ²⁾

71.4

E_AS

℃

Power Dissipation

37.4

P_D

T_c= 25℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to + 150

T_J, T_stg

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

3.3

Unit

℃/W

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, -I_D= 37.8 A, -V_GS= 10 V.

R_θJA

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 01/04/2021 Rev: 01

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