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WTR04P058L-CH

更新时间： 2024-09-17 14:52:31

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先科 - SWST		晶体
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7页	551K
描述
功率金氧半电晶体

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WTR04P058L-CH 数据手册

WTR04P058L-CH

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Fast switching

• AEC-Q101 Qualified

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

1.Gate 2.Drain 3.Source

TO-252 Plastic Package

Applications

• Motor Drive

• Power Tools

• LED Lighting

Source

Key Parameters

Parameter

-BV_DSS

Value

Unit

5.8 @ -V_GS= 10 V

7.5 @ -V_GS= 4.5 V

1.4

R_DS(ON)Max

mΩ

-V_GS(th)typ

Q_gtyp

125 @ -V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

-V_DS

Gate-Source Voltage

Drain Current

-V_GS

± 20

T_c= 25

T_c= 100

℃

37.8

-I_D

℃

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Single-Pulse Avalanche Current

Single-Pulse Avalanche Energy ²⁾

Power Dissipation

-I_DM

-I_AS

300

106

E_AS

P_D

T_c= 25

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to + 150

T_j, T_stg

℃

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

2.5

Unit

Thermal Resistance from Junction to Case

℃

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, -I_AS= 46 A, V_GS= 10 V.

R_θJA

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 30/09/2022 Rev: 01

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