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WTR06N180LS-CH

更新时间： 2024-11-28 14:55:59

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先科 - SWST		晶体
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7页	598K
描述
功率金氧半电晶体

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WTR06N180LS-CH 数据手册

WTR06N180LS-CH

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Low R_DS(ON)

• AEC-Q101 Qualified

• Surface-mounted package

• Low Gate-Source Threshold Voltage

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

Source

1.Gate 2.Drain 3.Source

TO-252 Plastic Package

Key Parameters

Parameter

BV_DSS

Value

Unit

18 @ V_GS= 10 V

20 @ V_GS= 4.5 V

1.5

R_DS(ON)Max

mΩ

V_GS(th)typ

Q_gtyp

37 @ V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

± 20

T_c= 25℃

T_c= 100℃

I_D

Drain Current

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Avalanche Current

I_DM

I_AS

100

20.3

Single Pulse Avalanche Energy ²⁾

Power Dissipation

E_AS

20.6

℃

P_tot

48.4

T_c= 25℃

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Operating Junction and Storage Temperature Range

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

2.5

Unit

℃/W

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

R_θJA

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150℃.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 ℃, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 20.3 A, V_GS= 10 V.

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 13/10/2022 Rev: 01

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