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WTR06N750LS-CH

更新时间： 2024-11-28 14:54:07

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先科 - SWST		晶体
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7页	541K
描述
功率金氧半电晶体

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WTR06N750LS-CH 数据手册

WTR06N750LS-CH

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• AEC-Q101 Qualified

• Low threshold drive

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

1.Gate 2.Drain 3.Source

TO-252 Plastic Package

Source

Applications

• Switching applications

• DC-DC converters for Telecom and Computer

Key Parameters

Parameter

BV_DSS

Value

Unit

75 @ V_GS= 10 V

95 @ V_GS= 4.5 V

1.6

R_DS(ON)Max

mΩ

V_GS(th)typ

Q_gtyp

8.6 @ V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Symbol

Value

Unit

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

± 20

7.5

T_c= 25℃

Drain Current

I_D

T_c= 100℃

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Single-Pulse Avalanche Current

I_DM

I_AS

4.2

Single-Pulse Avalanche Energy ²⁾

Power Dissipation

E_AS

0.9

℃

T_c= 25℃

P_D

22.5

- 55 to + 150

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

5.5

Unit

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 4.2 A, V_GS= 10 V.

℃

R_θJA

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 09/11/2022 Rev: 01

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