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VS-MBRB1035TRRHM3

更新时间： 2024-11-22 02:50:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
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7页 145K
描述
High Performance Schottky Rectifier, 10 A

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VS-MBRB1035TRRHM3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSSO-G2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.7其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.84 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：35 V最大反向电流：100 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VS-MBRB1035TRRHM3 数据手册

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VS-MBRB1035HM3, VS-MBRB1045HM3  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Performance Schottky Rectifier, 10 A  
FEATURES  
Base  
cathode  
2
• 150 °C TJ operation  
• TO-220 and D2PAK packages  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
• High purity, high temperature epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical strength and  
moisture resistance  
D2PAK (TO-263AB)  
3
1
N/C  
Anode  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 245 °C  
• Designed and qualified according to JEDEC®-JESD 47  
PRODUCT SUMMARY  
IF(AV)  
10 A  
VR  
35 V, 45 V  
0.57 V  
• AEC-Q101 qualified  
VF at IF  
IRM  
• Meets JESD 201 class 1 whisker test  
15 mA at 125 °C  
150 °C  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
TJ max.  
EAS  
8 mJ  
Package  
Diode variation  
D2PAK (TO-263AB)  
Single  
DESCRIPTION  
This Schottky rectifier has been optimized for low reverse  
leakage at high temperature. The proprietary barrier  
technology allows for reliable operation up to 150 °C  
junction temperature. Typical applications are in switching  
power supplies, converters, freewheeling diodes, and  
reverse battery protection.  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
IFRM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
10  
UNITS  
Rectangular waveform  
TC = 135 °C  
A
20  
VRRM  
IFSM  
35/45  
1060  
V
A
tp = 5 μs sine  
10 Apk, TJ = 125 °C  
Range  
VF  
0.57  
V
TJ  
-55 to +150  
C°  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VR  
VS-MBRB1035HM3  
VS-MBRB1045HM3  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
35  
45  
V
VRWM  
Revision: 07-Jul-17  
Document Number: 96115  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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与VS-MBRB1035TRRHM3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-MBRB1035TRR-M3 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 35V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3
VS-MBRB1045HM3 VISHAY

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 		High Performance Schottky Rectifier, 10 A
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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 45V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3
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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 45V V(RRM), Silicon, D2PAK-3
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VS-MBRB1535CTL-M3 VISHAY

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 		Low forward voltage drop
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