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VS-MBRB1535CTL-M3

更新时间： 2024-02-28 02:32:21
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
8页 191K
描述
Low forward voltage drop

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VS-MBRB1535CTL-M3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：D2PAK-3/2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.74其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.84 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：7.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：35 V
最大反向电流：100 µA表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

VS-MBRB1535CTL-M3 数据手册

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VS-MBRB15..CT-M3, VS-MBR15..CT-1-M3  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Performance Schottky Rectifier, 2 x 7.5 A  
FEATURES  
TO 263AB (D2PAK)  
TO-262AA  
• 150 °C TJ operation  
• Center tap TO-220 package  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
• High purity, high temperature epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical  
strength and moisture resistance  
Base  
common  
cathode  
Base  
common  
cathode  
2
2
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 260 °C  
• Designed and qualified according to JEDEC®-JESD 47  
2
2
1
1
3
3
Common  
cathode  
Common  
cathode  
Anode  
Anode  
Anode  
Anode  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
VS-MBR15..CT-1-M3  
VS-MBRB15..CT-M3  
DESCRIPTION  
PRODUCT SUMMARY  
The VS-MBR(B)15... center tap Schottky rectifier has been  
optimized for low reverse leakage at high temperature. The  
proprietary barrier technology allows for reliable operation  
up to 150 °C junction temperature. Typical applications are  
in switching power supplies, converters, freewheeling  
diodes, and reverse battery protection.  
IF(AV)  
2 x 7.5 A  
35 V, 45 V  
VR  
VF at IF  
0.57 V  
IRM max.  
TJ max.  
EAS  
15 mA at 125 °C  
150 °C  
7 mJ  
Package  
Diode variation  
TO-263AB (D2PAK), TO-262AA  
Common cathode  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
15  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
35/45  
tp = 5 μs sine  
690  
A
VF  
7.5 Apk, TJ = 125 °C  
0.57  
V
TJ  
-65 to +150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
VS-MBRB1535CT-M3  
VS-MBR1535CT-1-M3  
VS-MBRB1545CT-M3  
VS-MBR1545CT-1-M3  
SYMBOL  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
VR  
35  
45  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
Revision: 15-Aug-15  
Document Number: 94948  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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与VS-MBRB1535CTL-M3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-MBRB1535CT-M3 VISHAY

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 		Low forward voltage drop
VS-MBRB1535CTPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 7.5A, 35V V(RRM), Silicon, PLASTIC, D2PAK-3
VS-MBRB1535CTR-M3 VISHAY

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 		Low forward voltage drop
VS-MBRB1535CTTRLP VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 7.5A, 35V V(RRM), Silicon, D2PAK-3
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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 7.5A, 45V V(RRM), Silicon, PLASTIC, D2PAK-3
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 		Low forward voltage drop
VS-MBRB1545CTTRLP VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 7.5A, 45V V(RRM), Silicon, TO-262, 3 PIN
VS-MBRB15CT-M3 VISHAY

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