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VS-MBRB1635TRLPBF

更新时间： 2024-01-13 01:23:09
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 高功率电源二极管
页数 文件大小 规格书
7页 160K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 16A, 35V V(RRM), Silicon, D2PAK-3

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VS-MBRB1635TRLPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-263
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.54
其他特性：FREEWHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY应用：HIGH POWER
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.57 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：1800 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：16 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：35 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

VS-MBRB1635TRLPBF 数据手册

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VS-MBRB1635PbF, VS-MBRB1645PbF  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Performance Schottky Rectifier, 16 A  
FEATURES  
Base  
cathode  
2
• 150 °C TJ operation  
• High frequency operation  
• Low forward voltage drop  
• High  
purity,  
high  
temperature  
epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical strength  
and moisture resistance  
D2PAK  
3
1
N/C  
Anode  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long  
term reliability  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
260 °C  
PRODUCT SUMMARY  
Package  
TO-263AB (D2PAK)  
16 A  
• AEC-Q101 qualified  
IF(AV)  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
VR  
35 V, 45 V  
0.63  
VF at IF  
IRM  
40 mA at 125 °C  
150 °C  
DESCRIPTION  
TJ max.  
Diode variation  
EAS  
This VS-MBRB16... Schottky rectifier has been optimized  
for low reverse leakage at high temperature. The proprietary  
barrier technology allows for reliable operation up to 150 °C  
junction temperature. Typical applications are in switching  
power supplies, converters, freewheeling diodes, and  
reverse battery protection.  
Single die  
24 mJ  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
16  
UNITS  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
VF  
Rectangular waveform  
A
V
35/45  
tp = 5 μs sine  
1800  
A
16 Apk, TJ = 125 °C  
0.57  
V
TJ  
-65 to +150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VR  
VS-MBRB1635PbF  
VS-MBRB1645PbF  
45  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
35  
V
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
TC = 134 °C, rated VR  
VALUES  
UNITS  
Maximum average forward current  
IF(AV)  
16  
Following any rated  
5 μs sine or 3 μs rect. pulse load condition and with  
rated VRRM applied  
1800  
A
Non-repetitive peak surge current  
IFSM  
Surge applied at rated load condition half wave  
single phase 60 Hz  
150  
24  
Non-repetitive avalanche energy  
Repetitive avalanche current  
EAS  
IAR  
TJ = 25 °C, IAS = 3.6 A, L = 3.7 mH  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
3.6  
Revision: 18-Oct-16  
Document Number: 94304  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-MBRB1635TRR-M3 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 16A, 35V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3
VS-MBRB1635TRRPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 16A, 35V V(RRM), Silicon, D2PAK-3
VS-MBRB1645-M3 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 16A, 45V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3
VS-MBRB1645PBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 16A, 45V V(RRM), Silicon, D2PAK-3
VS-MBRB1645TRL-M3 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 16A, 45V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3
VS-MBRB1645TRRPBF VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 16A, 45V V(RRM), Silicon, D2PAK-3
VS-MBRB20...CTHM3, VS-MBR20...CT-1HM3 VISHAY

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 		High Performance Schottky Rectifier, 2 x 10 A
VS-MBRB20100CT-1HM3 VISHAY

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 		Low forward voltage drop
VS-MBRB20100CT-1P VISHAY

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 		RECTIFIER DIODE
VS-MBRB20100CT-1PBF VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-262AA, TO-262

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