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VS-MBRB2035CTTRRP

更新时间： 2024-01-30 12:50:41
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 高功率电源二极管
页数 文件大小 规格书
8页 165K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 35V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3

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VS-MBRB2035CTTRRP 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-263包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.27Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY应用：HIGH POWER
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.57 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：1060 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：35 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

VS-MBRB2035CTTRRP 数据手册

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VS-MBRB20..CTPbF, VS-MBR20..CT-1PbF Series  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Schottky Rectifier, 2 x 10 A  
FEATURES  
VS-MBR20..CT-1PbF  
VS-MBRB20..CTPbF  
• 150 °C TJ operation  
• Center tap D2PAK and TO-262 packages  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
Base  
Base  
• High purity, high temperature epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical  
strength and moisture resistance  
common  
cathode  
common  
cathode  
2
2
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
260 °C  
2
2
1
1
3
3
Common  
cathode  
Common  
cathode  
Anode  
Anode  
Anode  
Anode  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
• AEC-Q101 qualified  
D2PAK  
TO-262  
PRODUCT SUMMARY  
DESCRIPTION  
Package  
TO-263AB (D2PAK), TO-262AA  
2 x 10 A  
This center tap Schottky rectifier has been optimized for  
low reverse leakage at high temperature. The proprietary  
barrier technology allows for reliable operation up to 150 °C  
junction temperature. Typical applications are in switching  
power supplies, converters, freewheeling diodes, and  
reverse battery protection.  
IF(AV)  
VR  
35 V, 45 V  
VF at IF  
IRM max.  
TJ max.  
Diode variation  
EAS  
0.72 V  
15 mA at 125 °C  
150 °C  
Common cathode  
8 mJ  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
IFRM  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
Rectangular waveform (per device)  
TC = 135 °C (per leg)  
VALUES  
20  
UNITS  
A
20  
35/45  
1060  
V
A
tp = 5 μs sine  
10 Apk, TJ = 125 °C  
Range  
VF  
0.57  
V
TJ  
- 65 to 150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
VS-MBRB2035CTPbF  
VS-MBR2035CT-1PbF  
VS-MBRB2045CTPbF  
VS-MBR2045CT-1PbF  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
VR  
35  
45  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
Revision: 16-Jan-12  
Document Number: 94305  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-MBRB2080CT-1HM3 VISHAY

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 		Low forward voltage drop
VS-MBRB2080CTGPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 80V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND
VS-MBRB2080CTGTLPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode,
VS-MBRB2080CTGTRP VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 80V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND
VS-MBRB2080CTHM3 VISHAY

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 		Low forward voltage drop
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VS-MBRB2080CT-M3 VISHAY

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VS-MBRB2080CTR-M3 VISHAY

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 		High frequency operation

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