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VS-MBRB1635TRR-M3 PDF预览

VS-MBRB1635TRR-M3

更新时间： 2024-02-16 22:15:12
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
8页 176K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 16A, 35V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2

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VS-MBRB1635TRR-M3 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：5.73
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.63 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：16 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大重复峰值反向电压：35 V
最大反向电流：200 µA表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

VS-MBRB1635TRR-M3 数据手册

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VS-MBRB1635-M3, VS-MBRB1645-M3  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Performance Schottky Rectifier, 16 A  
FEATURES  
Base  
cathode  
2
• 150 °C TJ operation  
• High frequency operation  
• Low forward voltage drop  
• High purity, high temperature epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical  
strength and moisture resistance  
D2PAK  
3
1
N/C  
Anode  
• Guard ring for enhanced ruggedness and  
long term reliability  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
260 °C  
• Designed and qualified according to JEDEC®-JESD 47  
PRODUCT SUMMARY  
IF(AV)  
16 A  
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
VR  
35 V, 45 V  
0.57 V  
VF at IF  
IRM  
DESCRIPTION  
40 mA at 125 °C  
150 °C  
This VS-MBRB16... Schottky rectifier has been optimized  
for low reverse leakage at high temperature. The proprietary  
barrier technology allows for reliable operation up to 150 °C  
junction temperature. Typical applications are in switching  
power supplies, converters, freewheeling diodes, and  
reverse battery protection.  
TJ max.  
EAS  
24 mJ  
Package  
Diode variation  
TO-263AB (D2PAK)  
Single die  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
16  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
35/45  
1800  
tp = 5 μs sine  
A
VF  
16 Apk, TJ = 125 °C  
0.57  
V
TJ  
-65 to 150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VS-MBRB1635-M3  
VS-MBRB1645-M3  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
VR  
35  
45  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Maximum average forward current  
IF(AV)  
TC = 134 °C, rated VR  
16  
Following any rated  
5 μs sine or 3 μs rect. pulse load condition and with  
rated VRRM applied  
1800  
A
Non-repetitive peak surge current  
IFSM  
Surge applied at rated load condition half wave  
single phase 60 Hz  
150  
24  
Non-repetitive avalanche energy  
Repetitive avalanche current  
EAS  
IAR  
TJ = 25 °C, IAS = 3.6 A, L = 3.7 mH  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
3.6  
Revision: 03-Mar-14  
Document Number: 94949  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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