5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > VS-MBRB1635TRR-M3
VS-MBRB1635TRR-M3 PDF预览

VS-MBRB1635TRR-M3

更新时间： 2024-11-21 14:45:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
8页 176K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 16A, 35V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2

阅读下载

中文翻译

获取价格

VS-MBRB1635TRR-M3 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：5.73
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.63 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：16 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大重复峰值反向电压：35 V
最大反向电流：200 µA表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

VS-MBRB1635TRR-M3 数据手册

 浏览型号VS-MBRB1635TRR-M3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号VS-MBRB1635TRR-M3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号VS-MBRB1635TRR-M3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号VS-MBRB1635TRR-M3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号VS-MBRB1635TRR-M3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号VS-MBRB1635TRR-M3的Datasheet PDF文件第7页 
VS-MBRB1635-M3, VS-MBRB1645-M3  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Performance Schottky Rectifier, 16 A  
FEATURES  
Base  
cathode  
2
• 150 °C TJ operation  
• High frequency operation  
• Low forward voltage drop  
• High purity, high temperature epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical  
strength and moisture resistance  
D2PAK  
3
1
N/C  
Anode  
• Guard ring for enhanced ruggedness and  
long term reliability  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
260 °C  
• Designed and qualified according to JEDEC®-JESD 47  
PRODUCT SUMMARY  
IF(AV)  
16 A  
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
VR  
35 V, 45 V  
0.57 V  
VF at IF  
IRM  
DESCRIPTION  
40 mA at 125 °C  
150 °C  
This VS-MBRB16... Schottky rectifier has been optimized  
for low reverse leakage at high temperature. The proprietary  
barrier technology allows for reliable operation up to 150 °C  
junction temperature. Typical applications are in switching  
power supplies, converters, freewheeling diodes, and  
reverse battery protection.  
TJ max.  
EAS  
24 mJ  
Package  
Diode variation  
TO-263AB (D2PAK)  
Single die  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
16  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
35/45  
1800  
tp = 5 μs sine  
A
VF  
16 Apk, TJ = 125 °C  
0.57  
V
TJ  
-65 to 150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VS-MBRB1635-M3  
VS-MBRB1645-M3  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
VR  
35  
45  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Maximum average forward current  
IF(AV)  
TC = 134 °C, rated VR  
16  
Following any rated  
5 μs sine or 3 μs rect. pulse load condition and with  
rated VRRM applied  
1800  
A
Non-repetitive peak surge current  
IFSM  
Surge applied at rated load condition half wave  
single phase 60 Hz  
150  
24  
Non-repetitive avalanche energy  
Repetitive avalanche current  
EAS  
IAR  
TJ = 25 °C, IAS = 3.6 A, L = 3.7 mH  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
3.6  
Revision: 03-Mar-14  
Document Number: 94949  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

中文翻译

下载PDF

与VS-MBRB1635TRR-M3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-MBRB1635TRRPBF VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 16A, 35V V(RRM), Silicon, D2PAK-3
VS-MBRB1645-M3 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 16A, 45V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3
VS-MBRB1645PBF VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 16A, 45V V(RRM), Silicon, D2PAK-3
VS-MBRB1645TRL-M3 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 16A, 45V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3
VS-MBRB1645TRRPBF VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 16A, 45V V(RRM), Silicon, D2PAK-3
VS-MBRB20...CTHM3, VS-MBR20...CT-1HM3 VISHAY

获取价格

 		High Performance Schottky Rectifier, 2 x 10 A
VS-MBRB20100CT-1HM3 VISHAY

获取价格

 		Low forward voltage drop
VS-MBRB20100CT-1P VISHAY

获取价格

 		RECTIFIER DIODE
VS-MBRB20100CT-1PBF VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-262AA, TO-262
VS-MBRB20100CTGPBF VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND

与VS-MBRB1635TRR-M3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证