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VS-MBRB1535CTTRLP

更新时间： 2024-09-24 15:57:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 高功率电源二极管
页数 文件大小 规格书
8页 168K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 7.5A, 35V V(RRM), Silicon, D2PAK-3

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VS-MBRB1535CTTRLP 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-263包装说明：R-PSSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.43Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY应用：HIGH POWER
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.57 VJESD-30 代码：R-PSSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：690 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：7.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：35 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

VS-MBRB1535CTTRLP 数据手册

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VS-MBRB15..CTPbF, VS-MBR15..CT-1PbF Series  
Vishay High Power Products  
Schottky Rectifier, 2 x 7.5 A  
VS-MBR15..CT-1PbF  
FEATURES  
• 150 °C TJ operation  
VS-MBRB15..CTPbF  
• Center tap TO-220 package  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
• High purity, high temperature epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical  
strength and moisture resistance  
Base  
common  
cathode  
Base  
common  
cathode  
2
2
• Guard ring for enhanced ruggedness and long  
term reliability  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
260 °C  
2
2
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC  
• AEC-Q101 qualified  
1
1
3
3
Common  
cathode  
Common  
cathode  
Anode  
Anode  
Anode  
Anode  
D2PAK  
TO-262  
DESCRIPTION  
The VS-MBR(B)15... center tap Schottky rectifier has been  
optimized for low reverse leakage at high temperature. The  
proprietary barrier technology allows for reliable operation  
up to 150 °C junction temperature. Typical applications are  
in switching power supplies, converters, freewheeling  
diodes, and reverse battery protection.  
PRODUCT SUMMARY  
IF(AV)  
2 x 7.5 A  
35 V/45 V  
VR  
IRM  
15 mA at 125 °C  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
15  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
35/45  
690  
tp = 5 μs sine  
A
VF  
7.5 Apk, TJ = 125 °C  
0.57  
V
TJ  
- 65 to 150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
VS-MBRB1535CTPbF  
VS-MBR1535CT-1PbF  
VS-MBRB1545CTPbF  
VS-MBR1545CT-1PbF  
SYMBOL  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
VR  
35  
45  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
TC = 131 °C, rated VR  
VALUES  
UNITS  
per leg  
7.5  
15  
Maximum average  
forward current  
IF(AV)  
per device  
5 μs sine or 3 μs Following any rated load condition  
rect. pulse and with rated VRRM applied  
A
690  
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge  
IFSM  
Surge applied at rated load conditions halfwave,  
single phase, 60 Hz  
150  
7
Non-repetitive avalanche energy per leg  
Repetitive avalanche current per leg  
EAS  
IAR  
TJ = 25 °C, IAS = 2 A, L = 3.5 mH  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
2
Document Number: 94303  
Revision: 15-Mar-10  
For technical questions, contact: diodestech@vishay.com  
www.vishay.com  
1
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-MBRB1545CTL-M3 VISHAY

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 		Low forward voltage drop
VS-MBRB1545CT-M3 VISHAY

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 		Low forward voltage drop
VS-MBRB1545CTPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 7.5A, 45V V(RRM), Silicon, PLASTIC, D2PAK-3
VS-MBRB1545CTR-M3 VISHAY

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 		Low forward voltage drop
VS-MBRB1545CTTRLP VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 7.5A, 45V V(RRM), Silicon, TO-262, 3 PIN
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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 16A, 35V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3
VS-MBRB1635PBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 16A, 35V V(RRM), Silicon, D2PAK-3
VS-MBRB1635TRL-M3 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 16A, 35V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3

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