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VS-MBRB1045-M3

更新时间： 2024-01-29 18:10:04
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
8页 172K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 45V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2

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VS-MBRB1045-M3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSSO-G2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：5.66
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.84 VJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
最大重复峰值反向电压：45 V最大反向电流：100 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

VS-MBRB1045-M3 数据手册

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VS-MBRB1035-M3, VS-MBRB1045-M3  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Performance Schottky Rectifier, 10 A  
FEATURES  
• 150 °C TJ operation  
• TO-220 and D2PAK packages  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
Base  
cathode  
2
• High purity, high temperature epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical  
strength and moisture resistance  
3
1
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
D2PAK  
N/C  
Anode  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 260 °C  
• Designed and qualified according to JEDEC®-JESD 47  
PRODUCT SUMMARY  
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
IF(AV)  
10 A  
VR  
35 V, 45 V  
0.57 V  
VF at IF  
IRM  
DESCRIPTION  
15 mA at 125 °C  
150 °C  
This Schottky rectifier has been optimized for low reverse  
leakage at high temperature. The proprietary barrier  
technology allows for reliable operation up to 150 °C  
junction temperature. Typical applications are in switching  
power supplies, converters, freewheeling diodes, and  
reverse battery protection.  
TJ max.  
EAS  
8 mJ  
TO-263AB (D2PAK)  
Package  
Diode variation  
Single die  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
IFRM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
10  
UNITS  
Rectangular waveform  
TC = 135 °C  
A
20  
VRRM  
IFSM  
35/45  
1060  
V
A
tp = 5 μs sine  
10 Apk, TJ = 125 °C  
Range  
VF  
0.57  
V
TJ  
- 65 to 150  
C°  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VR  
VS-MBRB1035-M3  
VS-MBRB1045-M3  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
35  
45  
V
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
IF(AV)  
IFRM  
TEST CONDITIONS  
TC = 135 °C, rated VR  
Rated VR, square wave, 20 kHz, TC = 135 °C  
Following any rated load  
condition and with rated  
RRM applied  
VALUES  
UNITS  
Maximum average forward current  
Peak repetitive forward current  
10  
20  
A
5 μs sine or 3 μs rect. pulse  
1060  
V
Non-repetitive surge current  
IFSM  
Surge applied at rated load conditions halfwave,  
single phase, 60 Hz  
150  
8
Non-repetitive avalanche energy  
Repetitive avalanche current  
EAS  
IAR  
TJ = 25 °C, IAS = 2 A, L = 4 mH  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs   
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
2
Revision: 28-Feb-14  
Document Number: 94947  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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