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VS-MBRB1045TRRPBF

更新时间： 2024-01-20 10:12:00
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 高功率电源二极管
页数 文件大小 规格书
7页 151K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 45V V(RRM), Silicon, D2PAK-3

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VS-MBRB1045TRRPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-263
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.43
其他特性：FREEWHEELING DIODE应用：HIGH POWER
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.57 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：1060 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：45 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

VS-MBRB1045TRRPBF 数据手册

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VS-MBRB1035PbF, VS-MBRB1045PbF  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Performance Schottky Rectifier, 10 A  
FEATURES  
• 150 °C TJ operation  
Base  
cathode  
2
• TO-220 and D2PAK packages  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
• High purity, high temperature epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical  
strength and moisture resistance  
3
1
TO-263AB (D2PAK)  
N/C  
Anode  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 260 °C  
PRODUCT SUMMARY  
• AEC-Q101 qualified, meets JESD 201, class 1A whisker  
test  
Package  
TO-263AB (D2PAK)  
10 A  
IF(AV)  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
VR  
35 V, 45 V  
0.57 V  
VF at IF  
DESCRIPTION  
I
RM max.  
15 mA at 125 °C  
150 °C  
This Schottky rectifier has been optimized for low reverse  
leakage at high temperature. The proprietary barrier  
technology allows for reliable operation up to 150 °C  
junction temperature. Typical applications are in switching  
power supplies, converters, freewheeling diodes, and  
reverse battery protection.  
TJ max.  
Diode variation  
EAS  
Single die  
8.0 mJ  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
IFRM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
10  
UNITS  
Rectangular waveform  
TC = 135 °C  
A
20  
VRRM  
IFSM  
35, 45  
1060  
V
A
tp = 5 μs sine  
10 Apk, TJ = 125 °C  
Range  
VF  
0.57  
V
TJ  
-65 to +150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VR  
VS-MBRB1035PbF  
VS-MBRB1045PbF  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
35  
45  
V
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES UNITS  
Maximum average forward current  
Peak repetitive forward current  
IF(AV)  
TC = 135 °C, rated VR  
10  
20  
IFRM  
Rated VR, square wave, 20 kHz, TC = 135 °C  
Following any rated load  
condition and with rated VRRM  
applied  
A
5 μs sine  
1060  
Non-repetitive surge current  
IFSM  
Surge applied at rated load conditions half wave, single phase, 60 Hz  
TJ = 25 °C, IAS = 2 A, L = 4 mH  
150  
Non-repetitive avalanche energy  
Repetitive avalanche current  
EAS  
IAR  
8
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
2
Revision: 17-Nov-16  
Document Number: 94302  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-MBRB1535CTL-M3 VISHAY

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 		Low forward voltage drop
VS-MBRB1535CT-M3 VISHAY

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VS-MBRB1535CTPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 7.5A, 35V V(RRM), Silicon, PLASTIC, D2PAK-3
VS-MBRB1535CTR-M3 VISHAY

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