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VS-MBRB1035TRR-M3

更新时间： 2024-02-26 23:50:59

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威世 - VISHAY		二极管
页数	文件大小	规格书
8页	172K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 35V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2

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VS-MBRB1035TRR-M3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
Factory Lead Time：	26 weeks	风险等级：	5.7
其他特性：	FREE WHEELING DIODE	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.84 V	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	150 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	10 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
最大重复峰值反向电压：	35 V	最大反向电流：	100 µA
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

VS-MBRB1035TRR-M3 数据手册

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VS-MBRB1035-M3, VS-MBRB1045-M3

www.vishay.com

Vishay Semiconductors

100

T_J= 150 °C

T_J= 125 °C

T_J= 100 °C

T_J= 150 °C

T_J= 125 °C

T_J= 25 °C

0.1

0.01

T_J= 75 °C

T_J= 50 °C

T_J= 25 °C

0.001

0.0001

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8

10 15 20 25 30 35

V_R- Reverse Voltage (V)

V_FM- Forward Voltage Drop (V)

Fig. 1 - Maximum Forward Voltage Drop Characteristics

Fig. 2 - Typical Values of Reverse Current vs.

Reverse Voltage

1000

T_J= 25 °C

100

V_R- Reverse Voltage (V)

Fig. 3 - Typical Junction Capacitance vs. Reverse Voltage

P_DM

t₁

D = 0.75

D = 0.50

D = 0.33

D = 0.25

D = 0.20

t₂

0.1

0.01

Notes:

Single pulse

(thermal resistance)

1. Duty factor D = t₁/t₂

2. Peak T_J= P_DMx Z_thJC+ T_C

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

t₁- Rectangular Pulse Duration (s)

Fig. 4 - Maximum Thermal Impedance Z_thJCCharacteristics

Revision: 28-Feb-14

Document Number: 94947

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