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VS-MBRB1035TRR-M3

更新时间： 2024-01-19 18:58:33
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
8页 172K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 35V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2

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VS-MBRB1035TRR-M3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSSO-G2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：5.7
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.84 VJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
最大重复峰值反向电压：35 V最大反向电流：100 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

VS-MBRB1035TRR-M3 数据手册

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Outline Dimensions  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
D2PAK  
DIMENSIONS in millimeters and inches  
Conforms to JEDEC® outline D2PAK (SMD-220)  
B
A
Pad layout  
A
(2)(3)  
E
A
(E)  
c2  
11.00  
MIN.  
(0.43)  
(3)  
D
L1  
4
2
9.65  
MIN.  
(0.38)  
(D1) (3)  
Detail A  
17.90 (0.70)  
15.00 (0.625)  
H
(2)  
1
3
3.81  
MIN.  
L2  
(0.15)  
B
B
2.32  
MIN.  
(0.08)  
A
B
2.64 (0.103)  
2.41 (0.096)  
(3)  
E1  
2 x b2  
2 x b  
C
c
View A - A  
0.004 M  
Base  
Metal  
0.010 M  
M
B
A
Plating  
(4)  
b1, b3  
2 x  
e
H
Gauge  
plane  
(4)  
c1  
(c)  
B
0° to 8°  
Seating  
plane  
L3  
A1  
Lead tip  
(b, b2)  
L
L4  
Section B - B and C - C  
Scale: None  
Detail “A”  
Rotated 90 °CW  
Scale: 8:1  
MILLIMETERS  
INCHES  
MILLIMETERS  
INCHES  
SYMBOL  
NOTES  
SYMBOL  
NOTES  
MIN.  
4.06  
0.00  
0.51  
0.51  
1.14  
1.14  
0.38  
0.38  
1.14  
8.51  
MAX.  
4.83  
0.254  
0.99  
0.89  
1.78  
1.73  
0.74  
0.58  
1.65  
9.65  
MIN.  
0.160  
0.000  
0.020  
0.020  
0.045  
0.045  
0.015  
0.015  
0.045  
0.335  
MAX.  
0.190  
0.010  
0.039  
0.035  
0.070  
0.068  
0.029  
0.023  
0.065  
0.380  
MIN.  
6.86  
9.65  
7.90  
MAX.  
8.00  
MIN.  
MAX.  
0.315  
0.420  
0.346  
A
A1  
b
D1  
E
0.270  
0.380  
0.311  
3
2, 3  
3
10.67  
8.80  
E1  
e
b1  
b2  
b3  
c
4
4
4
2
2.54 BSC  
0.100 BSC  
H
14.61  
1.78  
-
15.88  
2.79  
1.65  
1.78  
0.575  
0.070  
-
0.625  
0.110  
0.066  
0.070  
L
L1  
L2  
L3  
L4  
3
c1  
c2  
D
1.27  
0.050  
0.25 BSC  
0.010 BSC  
4.78  
5.28  
0.188  
0.208  
Notes  
(1)  
Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5 M-1994  
Dimension D and E do not include mold flash. Mold flash shall not exceed 0.127 mm (0.005") per side. These dimensions are measured at  
the outmost extremes of the plastic body  
(2)  
(3)  
(4)  
(5)  
(6)  
(7)  
Thermal pad contour optional within dimension E, L1, D1 and E1  
Dimension b1 and c1 apply to base metal only  
Datum A and B to be determined at datum plane H  
Controlling dimension: inch  
Outline conforms to JEDEC® outline TO-263AB  
Revision: 08-Jul-15  
Document Number: 95046  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1...345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-MBRB1045HM3 VISHAY

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 		High Performance Schottky Rectifier, 10 A
VS-MBRB1045-M3 VISHAY

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