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VS-HFA04SD60SR-M3

更新时间： 2024-09-15 15:57:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 快速软恢复高电源超快软恢复二极管快速软恢复二极管超快速软恢复大功率电源高功率电源
页数 文件大小 规格书
8页 161K
描述
DIODE 4 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3, Rectifier Diode

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VS-HFA04SD60SR-M3 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-252AA
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.32
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：ULTRA FAST SOFT RECOVERY HIGH POWER
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.7 VJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2最大非重复峰值正向电流：25 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：4 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向恢复时间：0.042 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

VS-HFA04SD60SR-M3 数据手册

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VS-HFA04SD60S-M3  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
HEXFRED®,  
Ultrafast Soft Recovery Diode, 4 A  
FEATURES  
2, 4  
• Ultrafast recovery time  
• Ultrasoft recovery  
• Very low IRRM  
• Very low Qrr  
1
N/C  
3
• Guaranteed avalanche  
Anode  
TO-252AA (D-PAK)  
• Specified at operating temperature  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 260 °C  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
PRODUCT SUMMARY  
BENEFITS  
• Reduced RFI and EMI  
Package  
TO-252AA (D-PAK)  
4 A  
IF(AV)  
• Reduced power loss in diode and switching transistor  
• Higher frequency operation  
• Reduced snubbing  
VR  
600 V  
VF at IF  
1.4 V  
t
rr typ.  
17 ns  
TJ max.  
150 °C  
• Reduced parts count  
Diode variation  
Single die  
DESCRIPTION / APPLICATIONS  
These diodes are optimized to reduce losses and EMI / RFI  
in high frequency power conditioning systems. The softness  
of the recovery eliminates the need for a snubber in  
most applications. These devices are ideally suited for  
freewheeling, flyback, power converters, motor drives, and  
other applications where high speed and reduced switching  
losses are design requirements.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
IF(AV)  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Cathode to anode voltage  
600  
V
Maximum continuous forward current  
Single pulse forward current  
TC = 100 °C  
4
IFSM  
25  
16  
A
Repetitive peak forward current  
Maximum power dissipation  
IFRM  
TC = 116 °C  
TC = 100 °C  
PD  
10  
W
Operating junction and storage temperatures  
TJ, TStg  
-55 to +150  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
Breakdown voltage,  
blocking voltage  
VBR  
VR  
,
IR = 100 μA  
600  
-
-
IF = 4 A  
IF = 8 A  
-
-
-
-
-
-
-
1.5  
1.8  
1.4  
0.17  
44  
1.8  
2.2  
1.7  
3.0  
300  
8
V
Forward voltage  
See fig. 1  
VF  
IF = 4 A, TJ = 125 °C  
VR = VR rated  
Maximum reverse  
leakage current  
IR  
μA  
TJ = 125 °C, VR = 0.8 x VR rated  
VR = 200 V  
Junction capacitance  
Series inductance  
CT  
LS  
4
pF  
nH  
Measured lead to lead 5 mm from package body  
8.0  
-
Revision: 24-Nov-16  
Document Number: 93473  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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VS-HFA04SD60SR-M3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
HFA04SD60S VISHAY

完全替代

 Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 4A, 600V V(RRM), Silicon, TO-252, SMD-220,

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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VS-HFA04SD60STRLHM3 VISHAY

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