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VS-HFA04SD60S-M3

更新时间： 2024-11-05 15:57:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 快速软恢复高电源超快软恢复二极管快速软恢复二极管超快速软恢复大功率电源高功率电源
页数 文件大小 规格书
8页 146K
描述
DIODE 4 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3, Rectifier Diode

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VS-HFA04SD60S-M3 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-252AA
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：0.96
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：ULTRA FAST SOFT RECOVERY HIGH POWER外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.7 V
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：25 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：4 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向恢复时间：0.042 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VS-HFA04SD60S-M3 数据手册

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VS-HFA04SD60S-M3  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
HEXFRED®,  
Ultrafast Soft Recovery Diode, 4 A  
FEATURES  
• Ultrafast recovery time  
2, 4  
• Ultrasoft recovery  
• Very low IRRM  
• Very low Qrr  
• Guaranteed avalanche  
1
N/C  
3
• Specified at operating temperature  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21  
definition  
Anode  
D-PAK (TO-252AA)  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
260 °C  
BENEFITS  
PRODUCT SUMMARY  
• Reduced RFI and EMI  
Package  
TO-252AA (D-PAK)  
4 A  
• Reduced power loss in diode and switching transistor  
• Higher frequency operation  
• Reduced snubbing  
IF(AV)  
VR  
600 V  
• Reduced parts count  
VF at IF  
1.8 V  
DESCRIPTION/APPLICATIONS  
t
rr typ.  
17 ns  
These diodes are optimized to reduce losses and EMI/RFI  
in high frequency power conditioning systems. The softness  
of the recovery eliminates the need for a snubber in  
most applications. These devices are ideally suited for  
freewheeling, flyback, power converters, motor drives, and  
other applications where high speed and reduced switching  
losses are design requirements.  
TJ max.  
150 °C  
Diode variation  
Single die  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
IF(AV)  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Cathode to anode voltage  
600  
V
Maximum continuous forward current  
Single pulse forward current  
TC = 100 °C  
4
IFSM  
25  
16  
A
Repetitive peak forward current  
Maximum power dissipation  
IFRM  
TC = 116 °C  
TC = 100 °C  
PD  
10  
W
Operating junction and storage temperatures  
TJ, TStg  
- 55 to 150  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
Breakdown voltage,  
blocking voltage  
VBR  
VR  
,
IR = 100 μA  
600  
-
-
IF = 4 A  
IF = 8 A  
-
-
-
-
-
-
-
1.5  
1.8  
1.4  
0.17  
44  
1.8  
2.2  
1.7  
3.0  
300  
8
V
Forward voltage  
See fig. 1  
VF  
IF = 4 A, TJ = 125 °C  
VR = VR rated  
Maximum reverse  
leakage current  
IR  
μA  
TJ = 125 °C, VR = 0.8 x VR rated  
VR = 200 V  
Junction capacitance  
Series inductance  
CT  
LS  
4
pF  
Measured lead to lead 5 mm from package body  
8.0  
-
nH  
Revision: 31-Mar-11  
Document Number: 93473  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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VS-HFA04SD60S-M3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
VS-HFA04SD60SL-M3 VISHAY

完全替代

 Ultrasoft recovery
HFA04SD60S VISHAY

完全替代

 Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 4A, 600V V(RRM), Silicon, TO-252, SMD-220,
VS-HFA04SD60SR-M3 VISHAY

完全替代

 DIODE 4 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA

与VS-HFA04SD60S-M3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-HFA04SD60SR-M3 VISHAY

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 		DIODE 4 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA
VS-HFA04SD60STRHM3 VISHAY

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 		Ultrasoft recovery
VS-HFA04SD60STRLHM3 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 4A, 600V V(RRM), Silicon, TO-252AA, DPAK-3/2
VS-HFA04SD60STR-M3 VISHAY

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 		Ultrasoft recovery
VS-HFA04SD60STRPBF VISHAY

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 		DIODE 4 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, DPAK-3, Rectifier Diode
VS-HFA04SD60STRRHM3 VISHAY

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 		Ultrasoft recovery
VS-HFA04SD60STRRPBF VISHAY

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 		DIODE 4 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, DPAK-3, Rectifier Diode
VS-HFA04TB60-M3 VISHAY

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 		HEXFRED? Ultrafast Soft Recovery Diode, 4 A
VS-HFA04TB60PBF INFINEON

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 		Ultrafast, Soft Recovery Diode
VS-HFA04TB60S-M3 VISHAY

获取价格

 		HEXFRED?, Ultrafast Soft Recovery Diode, 4 A

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