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VS-ETH3006STRLHM3

更新时间： 2024-10-30 19:08:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 软恢复二极管超快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
7页 140K
描述
DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

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VS-ETH3006STRLHM3 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.69
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT应用：HYPERFAST SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：2.65 VJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：180 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：30 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向电流：30 µA
最大反向恢复时间：0.035 µs表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VS-ETH3006STRLHM3 数据手册

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VS-ETH3006SHM3, VS-ETH3006-1HM3  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Hyperfast Rectifier, 30 A FRED Pt®  
FEATURES  
• Hyperfast recovery time  
• Low forward voltage drop  
• 175 °C operating junction temperature  
• Low leakage current  
TO-263AB (D2PAK)  
TO-262AA  
• AEC-Q101 qualified, meets JESD 201 class 1A  
whisker test  
Base  
cathode  
2
• Meets MSL level 1, per J-STD-020,  
LF maximum peak of 260 °C  
2
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
3
1
N/C  
3
1
DESCRIPTION / APPLICATIONS  
N/C  
Anode  
Anode  
Hyperfast recovery rectifiers designed with optimized  
performance of forward voltage drop, hyperfast recovery  
time, and soft recovery.  
VS-ETH3006SHM3  
VS-ETH3006-1HM3  
PRODUCT SUMMARY  
The planar structure and the platinum doped life time control  
guarantee the best overall performance, ruggedness and  
reliability characteristics.  
Package  
TO-263AB (D2PAK), TO-262AA  
IF(AV)  
30 A  
600 V  
VR  
These devices are intended for use in PFC Boost stage in  
the AC/DC section of SMPS, inverters or as freewheeling  
diodes.  
VF at IF  
1.4 V  
trr (typ.)  
TJ max.  
Diode variation  
27 ns  
175 °C  
Single die  
The extremely optimized stored charge and low recovery  
current minimize the switching losses and reduce over  
dissipation in the switching element and snubbers.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
TEST CONDITIONS  
MAX.  
600  
30  
UNITS  
Repetitive peak reverse voltage  
Average rectified forward current  
Non-repetitive peak surge current  
V
IF(AV)  
TC = 95 °C  
TC = 25 °C  
A
IFSM  
180  
Operating junction and storage  
temperatures  
TJ, TStg  
-65 to +175  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
Breakdown voltage,  
blocking voltage  
VBR  
VR  
,
IR = 100 μA  
IF = 30 A  
600  
-
-
V
-
-
-
-
-
-
2.0  
1.4  
0.02  
50  
2.65  
1.8  
30  
300  
-
Forward voltage  
VF  
IR  
IF = 30 A, TJ = 150 °C  
VR = VR rated  
Reverse leakage current  
μA  
TJ = 150 °C, VR = VR rated  
VR = 600 V  
Junction capacitance  
Series inductance  
CT  
LS  
20  
pF  
nH  
Measured lead to lead 5 mm from package body  
8.0  
-
Revision: 10-Jul-15  
Document Number: 94425  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-ETH3006STRL-M3 VISHAY

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 		DIODE 30 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL
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 		DIODE 15 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL

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