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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> VS-12CWQ03FNPBF
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VS-12CWQ03FNPBF

更新时间： 2024-11-25 12:47:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管高功率电源
页数 文件大小 规格书
7页 149K
描述
Schottky Rectifier, 2 x 6 A

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VS-12CWQ03FNPBF 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252AA
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.68Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY应用：HIGH POWER
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：320 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：30 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VS-12CWQ03FNPBF 数据手册

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VS-12CWQ03FNPbF  
Vishay Semiconductors  
Schottky Rectifier, 2 x 6 A  
FEATURES  
• Popular D-PAK outline  
Base  
common  
cathode  
4
• Center tap configuration  
• Small foot print, surface mountable  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
2
Common  
cathode  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
D-PAK (TO-252AA)  
1
3
Anode  
Anode  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
260 °C  
PRODUCT SUMMARY  
Package  
D-PAK (TO-252AA)  
2 x 6 A  
DESCRIPTION  
IF(AV)  
The VS-12CWQ03FNPbF surface mount, center tap,  
Schottky rectifier series has been designed for applications  
requiring low forward drop and small foot prints on PC  
board. Typical applications are in disk drives, switching  
power supplies, converters, freewheeling diodes, battery  
charging, and reverse battery protection.  
VR  
30 V  
VF at IF  
IRM  
0.37 V  
58 mA at 125 °C  
150 °C  
TJ max.  
Diode variation  
EAS  
Common cathode  
10 mJ  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
12  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
30  
tp = 5 μs sine  
320  
A
VF  
6 Apk, TJ = 125 °C (per leg)  
Range  
0.37  
V
TJ  
- 55 to 150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VS-12CWQ03FNPbF  
30  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
VR  
V
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Maximum average  
forward current  
See fig. 5  
per leg  
6
IF(AV)  
50 % duty cycle at TC = 135 °C, rectangular waveform  
A
per device  
12  
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current per leg  
See fig. 7  
Following any rated  
load condition and with  
rated VRRM applied  
5 μs sine or 3 μs rect. pulse  
320  
IFSM  
A
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
TJ = 25 °C, IAS = 2.0 A, L = 5 mH  
130  
10  
Non-repetitive avalanche energy per leg  
Repetitive avalanche current per leg  
EAS  
IAR  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
2.0  
Document Number: 94132  
Revision: 14-Jan-11  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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VS-12CWQ03FNPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		Schottky Rectifier, 2 x 6 A
VS-12CWQ03FNTRR-M3 VISHAY

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 		DIODE 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SIMILAR TO
VS-12CWQ04FNHM3 VISHAY

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 		Center tap configuration
VS-12CWQ04FN-M3 VISHAY

获取价格

 		Popular D-PAK outline
VS-12CWQ04FNPBF VISHAY

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 		Schottky Rectifier, 2 x 6 A Popular D-PAK outline
VS-12CWQ04FNTRHM3 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 40V V(RRM), Silicon, TO-252AA, DPAK-3/2
VS-12CWQ04FNTRLHM3 VISHAY

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