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VS-12CWQ04FNTRLPBF

更新时间： 2024-11-07 12:30:27
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威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
7页 149K
描述
Schottky Rectifier, 2 x 6 A Popular D-PAK outline

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VS-12CWQ04FNTRLPBF 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252AA
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.7其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用：HIGH POWER外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：550 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：40 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

VS-12CWQ04FNTRLPBF 数据手册

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VS-12CWQ04FNPbF  
Vishay Semiconductors  
Schottky Rectifier, 2 x 6 A  
FEATURES  
Base  
common  
cathode  
• Popular D-PAK outline  
4
• Center tap configuration  
• Small foot print, surface mountable  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
2
Common  
cathode  
D-PAK (TO-252AA)  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
1
3
Anode  
Anode  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
PRODUCT SUMMARY  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
260 °C  
Package  
D-PAK (TO-252AA)  
2 x 6 A  
IF(AV)  
DESCRIPTION  
VR  
40 V  
The VS-12CWQ04FNPbF surface mount, center tap,  
Schottky rectifier series has been designed for applications  
requiring low forward drop and small foot prints on PC  
board. Typical applications are in disk drives, switching  
power supplies, converters, freewheeling diodes, battery  
charging, and reverse battery protection.  
VF at IF  
IRM  
0.48 V  
40 mA at 125 °C  
150 °C  
TJ max.  
Diode variation  
EAS  
Common cathode  
9 mJ  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
12  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
40  
tp = 5 μs sine  
550  
A
VF  
6 Apk, TJ = 125 °C (per leg)  
Range  
0.48  
V
TJ  
- 55 to 150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VS-12CWQ04FNPbF  
40  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
VR  
V
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Maximum average  
forward current  
See fig. 5  
per leg  
6
IF(AV)  
50 % duty cycle at TC = 134 °C, rectangular waveform  
A
per device  
12  
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
See fig. 7  
Following any rated  
load condition and with  
rated VRRM applied  
5 μs sine or 3 μs rect. pulse  
550  
IFSM  
A
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
TJ = 25 °C, IAS = 1.5 A, L = 8 mH  
90  
9
Non-repetitive avalanche energy per leg  
Repetitive avalanche current per leg  
EAS  
IAR  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
1.2  
Document Number: 94133  
Revision: 14-Jan-11  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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 		Center tap configuration
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 		DIODE 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SIMILAR TO TO-252AA
VS-12CWQ06FNPbF VISHAY

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