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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> VS-12CWQ04FNPBF
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VS-12CWQ04FNPBF

更新时间： 2024-11-27 12:30:27
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威世 - VISHAY 整流二极管高功率电源
页数 文件大小 规格书
7页 149K
描述
Schottky Rectifier, 2 x 6 A Popular D-PAK outline

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VS-12CWQ04FNPBF 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252AA
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：7.75Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY应用：HIGH POWER
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：550 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：40 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VS-12CWQ04FNPBF 数据手册

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VS-12CWQ04FNPbF  
Vishay Semiconductors  
Schottky Rectifier, 2 x 6 A  
FEATURES  
Base  
common  
cathode  
• Popular D-PAK outline  
4
• Center tap configuration  
• Small foot print, surface mountable  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
2
Common  
cathode  
D-PAK (TO-252AA)  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
1
3
Anode  
Anode  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
PRODUCT SUMMARY  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
260 °C  
Package  
D-PAK (TO-252AA)  
2 x 6 A  
IF(AV)  
DESCRIPTION  
VR  
40 V  
The VS-12CWQ04FNPbF surface mount, center tap,  
Schottky rectifier series has been designed for applications  
requiring low forward drop and small foot prints on PC  
board. Typical applications are in disk drives, switching  
power supplies, converters, freewheeling diodes, battery  
charging, and reverse battery protection.  
VF at IF  
IRM  
0.48 V  
40 mA at 125 °C  
150 °C  
TJ max.  
Diode variation  
EAS  
Common cathode  
9 mJ  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
12  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
40  
tp = 5 μs sine  
550  
A
VF  
6 Apk, TJ = 125 °C (per leg)  
Range  
0.48  
V
TJ  
- 55 to 150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VS-12CWQ04FNPbF  
40  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
VR  
V
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Maximum average  
forward current  
See fig. 5  
per leg  
6
IF(AV)  
50 % duty cycle at TC = 134 °C, rectangular waveform  
A
per device  
12  
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
See fig. 7  
Following any rated  
load condition and with  
rated VRRM applied  
5 μs sine or 3 μs rect. pulse  
550  
IFSM  
A
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
TJ = 25 °C, IAS = 1.5 A, L = 8 mH  
90  
9
Non-repetitive avalanche energy per leg  
Repetitive avalanche current per leg  
EAS  
IAR  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
1.2  
Document Number: 94133  
Revision: 14-Jan-11  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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VS-12CWQ04FNPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
VS-12CWQ04FN-M3 VISHAY

完全替代

 Popular D-PAK outline
VS-12CWQ03FNPBF VISHAY

类似代替

 Schottky Rectifier, 2 x 6 A
VS-12CWQ04FNTRRPBF VISHAY

类似代替

 Schottky Rectifier, 2 x 6 A Popular D-PAK outline

与VS-12CWQ04FNPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-12CWQ04FNTRHM3 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 40V V(RRM), Silicon, TO-252AA, DPAK-3/2
VS-12CWQ04FNTRLHM3 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 40V V(RRM), Silicon, TO-252AA, DPAK-3/2
VS-12CWQ04FNTRL-M3 VISHAY

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 		Popular D-PAK outline
VS-12CWQ04FNTRLPBF VISHAY

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 		Center tap configuration
VS-12CWQ04FNTRR-M3 VISHAY

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 		Popular D-PAK outline
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