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VS-12CWQ10FN-M3

更新时间： 2024-09-18 15:57:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
7页 155K
描述
DIODE 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SIMILAR TO TO-252AA, DPAK-3, Rectifier Diode

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VS-12CWQ10FN-M3 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-252AA
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：0.88Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.65 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：330 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：6 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

VS-12CWQ10FN-M3 数据手册

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VS-12CWQ10FN-M3  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
High Performance Schottky Rectifier, 2 x 6 A  
FEATURES  
• Low forward voltage drop  
Base  
common  
cathode  
4
• Guard ring for enhanced ruggedness and long  
term reliability  
• Popular D-PAK outline  
• Center tap configuration  
• Small foot print, surface mountable  
• High frequency operation  
2
Common  
cathode  
D-PAK (TO-252AA)  
1
3
Anode  
Anode  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
260 °C  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
PRODUCT SUMMARY  
Package  
D-PAK (TO-252AA)  
2 x 6 A  
IF(AV)  
DESCRIPTION  
VR  
100 V  
The VS-12CWQ10FN-M3 surface mount, center tap,  
Schottky rectifier series has been designed for applications  
requiring low forward drop and small foot prints on PC  
board. Typical applications are in disk drives, switching  
power supplies, converters, freewheeling diodes, battery  
charging, and reverse battery protection.  
VF at IF  
IRM  
0.65 V  
4 mA at 125 °C  
150 °C  
TJ max.  
Diode variation  
EAS  
Common cathode  
6 mJ  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
12  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
100  
tp = 5 μs sine  
330  
A
VF  
6 Apk, TJ = 125 °C (per leg)  
Range  
0.65  
V
TJ  
-55 to +150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VR  
VS-12CWQ10FN-M3  
100  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Maximum average  
forward current  
See fig. 5  
per leg  
6
IF(AV)  
50 % duty cycle at TC = 135 °C, rectangular waveform  
A
per device  
12  
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current per leg  
See fig. 7  
Following any rated  
load condition and with  
rated VRRM applied  
5 μs sine or 3 μs rect. pulse  
330  
IFSM  
A
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
TJ = 25 °C, IAS = 1 A, L = 12 mH  
110  
6
Non-repetitive avalanche energy per leg  
Repetitive avalanche current per leg  
EAS  
IAR  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
1
Revision: 22-Nov-16  
Document Number: 93295  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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与VS-12CWQ10FN-M3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-12CWQ10FNPBF VISHAY

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 		Schottky Rectifier, 2 x 6 A
VS-12CWQ10FNTRHM3 VISHAY

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 		Popular D-PAK outline
VS-12CWQ10FNTRLHM3 VISHAY

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 		Popular D-PAK outline
VS-12CWQ10FNTRL-M3 VISHAY

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 		DIODE 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SIMILAR TO TO-252A
VS-12CWQ10FNTRLPBF VISHAY

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 		DIODE 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SIMILAR TO TO-252AA, DPAK-
VS-12CWQ10FNTR-M3 VISHAY

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 		DIODE 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SIMILAR TO TO-252A
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VS-12EWH06FN-M3 VISHAY

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