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Datasheet > VS-12CWQ06FNTR-M3
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VS-12CWQ06FNTR-M3

更新时间： 2024-11-07 15:57:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
7页 156K
描述
DIODE 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SIMILAR TO TO-252AA, DPAK-3, Rectifier Diode

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VS-12CWQ06FNTR-M3 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-252AA
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.51其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.57 V
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：320 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：6 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：60 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

VS-12CWQ06FNTR-M3 数据手册

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VS-12CWQ06FN-M3  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
High Performance Schottky Rectifier, 2 x 6 A  
FEATURES  
• Low forward voltage drop  
Base  
common  
cathode  
4
• Guard ring for enhanced ruggedness and long  
term reliability  
• Popular D-PAK outline  
• Center tap configuration  
• Small foot print, surface mountable  
• High frequency operation  
2
Common  
cathode  
D-PAK (TO-252AA)  
1
3
Anode  
Anode  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
260 °C  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
PRODUCT SUMMARY  
Package  
D-PAK (TO-252AA)  
2 x 6 A  
IF(AV)  
DESCRIPTION  
VR  
60 V  
The VS-12CWQ06FN-M3 surface mount, center tap,  
Schottky rectifier series has been designed for applications  
requiring low forward drop and small foot prints on PC  
board. Typical applications are in disk drives, switching  
power supplies, converters, freewheeling diodes, battery  
charging, and reverse battery protection.  
VF at IF  
IRM  
0.57 V  
35 mA at 125 °C  
150 °C  
TJ max.  
Diode variation  
EAS  
Common cathode  
7 mJ  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
12  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
60  
tp = 5 μs sine  
320  
A
VF  
6 Apk, TJ = 125 °C (per leg)  
Range  
0.57  
V
TJ  
-55 to +150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VS-12CWQ06FN-M3  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
VR  
60  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Maximum average  
forward current  
See fig. 5  
per leg  
6
IF(AV)  
50 % duty cycle at TC = 131 °C, rectangular waveform  
A
per device  
12  
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
See fig. 7  
Following any rated  
load condition and with  
rated VRRM applied  
5 μs sine or 3 μs rect. pulse  
320  
IFSM  
A
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
105  
7
Non-repetitive avalanche energy per leg  
Repetitive avalanche current per leg  
EAS  
IAR  
TJ = 25 °C, IAS = 1.2 A, L = 10 mH  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
0.8  
Revision: 22-Nov-16  
Document Number: 93289  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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VS-12CWQ06FNTR-M3 替代型号

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 		DIODE 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SIMILAR TO TO-252AA, DPAK-3
VS-12CWQ10FNHM3 VISHAY

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