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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.69 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VP1206N2 | SUPERTEX |
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P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
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| VP1206N5 | SUPERTEX |
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P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
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| VP1206ND | SUPERTEX |
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P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
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| VP120-B1ZEZ-00000 | Carling Technologies |
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Rocker Switch, Quick Connect Terminal, Rocker Actuator, Panel Mount, |
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| VP1210N1 | SUPERTEX |
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P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
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| VP1210N2 | SUPERTEX |
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P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
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| VP1210N5 | SUPERTEX |
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P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
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| VP1210ND | SUPERTEX |
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P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
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| VP1216N1 | SUPERTEX |
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P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
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| VP1216N2 | SUPERTEX |
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P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
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