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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SFM | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.45 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.8 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 65 pF | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 45 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 45 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 14 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 165 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 70 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VP1206ND | SUPERTEX |
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P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
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| VP120-B1ZEZ-00000 | Carling Technologies |
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Rocker Switch, Quick Connect Terminal, Rocker Actuator, Panel Mount, |
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| VP1210N1 | SUPERTEX |
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P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
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| VP1210N2 | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
|
| VP1210N5 | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
|
| VP1210ND | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
|
| VP1216N1 | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
|
| VP1216N2 | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
|
| VP1216N5 | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
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| VP1216ND | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
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