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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.45 |
| 其他特性： | HIGH INPUT IMPEDANCE | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2 A | 最大漏源导通电阻： | 2.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 30 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-39 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 6.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VP1220N5 | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
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| VP1220ND | SUPERTEX |
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P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
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| VP122-B22LL-00000 | Carling Technologies |
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Rocker Switch, Quick Connect Terminal, Rocker Actuator, Panel Mount, |
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| VP122-B22SS-00000 | Carling Technologies |
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Rocker Switch, Quick Connect Terminal, Rocker Actuator, Panel Mount, |
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| VP12652500J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| VP12655500J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| VP12656700J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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| VP12658500J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block, |
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| VP12658700J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block, |
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| VP12659500J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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