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VP1206ND

更新时间: 2024-10-28 22:36:47
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超科 - SUPERTEX 晶体小信号场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
4页 149K
描述
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs

VP1206ND 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:UNCASED CHIP, S-XUUC-N2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.45
Is Samacsys:N配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏源导通电阻:0.8 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):65 pF
JESD-30 代码:S-XUUC-N2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:SQUARE
封装形式:UNCASED CHIP峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:NO LEAD
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

VP1206ND 数据手册

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