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VP1220N5

更新时间: 2024-10-28 22:36:47
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超科 - SUPERTEX /
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4页 143K
描述
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs

VP1220N5 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SFM包装说明:TO-220, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.45
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:200 V最大漏极电流 (Abs) (ID):3.5 A
最大漏极电流 (ID):3.5 A最大漏源导通电阻:2.5 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):6 A认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON

VP1220N5 数据手册

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