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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SFM | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.45 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 160 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 45 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 6 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VP1216ND | SUPERTEX |
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P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
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| VP1220N1 | SUPERTEX |
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P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
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| VP1220N2 | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
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| VP1220N5 | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
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| VP1220ND | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
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| VP122-B22LL-00000 | Carling Technologies |
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Rocker Switch, Quick Connect Terminal, Rocker Actuator, Panel Mount, |
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| VP122-B22SS-00000 | Carling Technologies |
获取价格 |
Rocker Switch, Quick Connect Terminal, Rocker Actuator, Panel Mount, |
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| VP12652500J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| VP12655500J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| VP12656700J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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