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VP1210ND

更新时间: 2024-11-23 22:36:47
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超科 - SUPERTEX /
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4页 149K
描述
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs

VP1210ND 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:UNCASED CHIP, S-XUUC-N2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.46
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏源导通电阻:0.8 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):65 pFJESD-30 代码:S-XUUC-N2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:SQUARE封装形式:UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:P-CHANNEL
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:NO LEAD端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

VP1210ND 数据手册

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