5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.69 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VP1204N2 | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Powe |
|
| VP1204N5 | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Powe |
|
| VP1204ND | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Powe |
|
| VP1206N1 | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
|
| VP1206N2 | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
|
| VP1206N5 | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
|
| VP1206ND | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
|
| VP120-B1ZEZ-00000 | Carling Technologies |
获取价格 |
Rocker Switch, Quick Connect Terminal, Rocker Actuator, Panel Mount, |
|
| VP1210N1 | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
|
| VP1210N2 | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
