Datasheet > VFT2080S-M3/4W

VFT2080S-M3/4W

更新时间： 2024-11-15 19:19:43

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网功效瞄准线二极管
页数	文件大小	规格书
4页	85K
描述
DIODE 20 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN, Rectifier Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

VFT2080S-M3/4W 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.42
其他特性：	FREEWHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.78 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	最大非重复峰值正向电流：	150 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	20 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	80 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

VFT2080S-M3/4W 数据手册

VFT2080S

Vishay General Semiconductor

www.vishay.com

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Ultra Low V_F= 0.46 V at I_F= 5 A

FEATURES

TMBS^®

ITO-220AB

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Solder bath temperature 275 °C max. 10 s,

per JESD 22-B106

• Material categorization: For definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

VFT2080S

TYPICAL APPLICATIONS

PIN 1

PIN 3

PIN 2

For use in high frequency DC/DC converters, switching

power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and

reverse battery protection.

MECHANICAL DATA

Case: ITO-220AB

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

20 A

80 V

V_RRM

Base P/N-M3

- halogen-free, RoHS-compliant, and

commercial grade

I_FSM

150 A

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test

V_Fat I_F= 20 A

T_Jmax.

0.70 V

150 °C

ITO-220AB

Single die

Package

Diode variation

Polarity: As marked

Mounting Torque: 10 in-lbs maximum

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

VFT2080S

UNIT

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum average forward rectified current (fig. 1)

V_RRM

I_F(AV)

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

150

Voltage rate of change (rated V_R)

dV/dt

V_AC

10 000

1500

V/μs

Isolation voltage from termal to heatsink t = 1 min

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

-55 to +150

°C

Revision: 28-Oct-13

Document Number: 89261

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与VFT2080S-M3/4W相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VFT2080S-M3-4W	VISHAY	获取价格	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VFT2943BN-32-250MHZ	CTS	获取价格	Oscillator,
VFT2943BN-32-40MHZ	CTS	获取价格	Oscillator,
VFT2943CN-32-250MHZ	CTS	获取价格	Oscillator,
VFT2943CN-32-40MHZ	CTS	获取价格	Oscillator,
VFT2943CN-50-250MHZ	CTS	获取价格	Oscillator,
VFT2943CS-20-40MHZ	CTS	获取价格	Oscillator,
VFT2943CS-32-250MHZ	CTS	获取价格	Oscillator,
VFT2943CS-50-40MHZ	CTS	获取价格	Oscillator,
VFT2945CN-20-40MHZ	CTS	获取价格	Oscillator,

与VFT2080S-M3/4W相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

7
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

4
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

30
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

13

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

VFT2080S-M3/4W

VFT2080S-M3/4W 技术参数

VFT2080S-M3/4W 数据手册

与VFT2080S-M3/4W相关器件

与VFT2080S-M3/4W相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

VFT2080S-M3/4W

VFT2080S-M3/4W 技术参数

VFT2080S-M3/4W 数据手册

与VFT2080S-M3/4W相关器件

与VFT2080S-M3/4W相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？