VFT30-28

更新时间： 2024-11-14 03:20:11

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N-Channel Enhancement Mode VHF POWER MOSFET

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VFT30-28 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.7
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.5 A
最大漏极电流 (ID)：	2.5 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRFM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	97 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

VFT30-28 数据手册

VFT30-28

VHF POWER MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

DESCRIPTION:

The VFT30-28 is a gold metallized N-

Channel enhancement mode

MOSFET, intended for use in 28VDC

large signal applications up to

400MHz.

PACKAGE STYLE .380 4L FLG

.112 x 45°

Ø.125 NOM.

FULL R

.125

FEATURES:

• P_G= 14 dB Typ. at 30 W /175MHz

• 10:1 Load VSWR Capability

• Omnigold™ Metalization System

MAXIMUM RATINGS

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

I_D

V_(BR)DSS

V_DGR

V_GS

5.0 A

65 V

.220 / 5.59

.785 / 19.94

.720 / 18.29

.970 / 24.64

.230 / 5.84

.730 / 18.54

.980 / 24.89

.385 / 9.78

.006 / 0.15

.105 / 2.67

.180 / 4.57

.280 / 7.11

.255 / 6.48

65 V

.004 / 0.10

.085 / 2.16

.160 / 4.06

± 40 V

P_DISS

T_J

100 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

1.75 °C/W

.240 / 6.10

ORDER CODE: ASI10703

T_STG

θ_JC

CHARACTERISTICS ^T_C= 25°C

SYMBOL

V_(BR)DSS

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

V_GS= 0 V

V_DS= 28 V

V_DS= 0 V

V_DS= 10 V

I_DS= 10 mA

---

4.0

1.0

6.0

---

µA

I_DSS

I_GSS

V_GS

G_FS

V_GS= 0 V

---

V_GS= 20 V

I_D= 25 mA

I_D= 500 mA

---

1.0

0.5

mho

6.0

C_iss

C_oss

C_rss

V_DS= 28 V

V_GS= 0 V

f = 1.0 MHz

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. B

1/2

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VFT3045BP	VISHAY	获取价格	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection
VFT3045BP_15	VISHAY	获取价格	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VFT3045BP-M3/4W	VISHAY	获取价格	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection
VFT3045C	VISHAY	获取价格	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VFT3045CBP	VISHAY	获取价格	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection
VFT3045CBP_1205	VISHAY	获取价格	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VFT3045CBP_15	VISHAY	获取价格	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection
VFT3045CBP-M3	VISHAY	获取价格	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection
VFT3045CBP-M3/4W	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 45V V(RRM), Silicon, TO-220AB, HALOGEN
VFT3045CBP-M3-4W	VISHAY	获取价格	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection

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